BUK555-200B127概述

TRANSISTOR 13 A, 200 V, 0.28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purpose Power

BUK555-200B127规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	NXP(恩智浦)
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
其他特性	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）	100 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	200 V
最大漏极电流 (ID)	13 A
最大漏源导通电阻	0.28 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	52 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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BUK555-200B127相似产品对比

	BUK555-200B127	BUK555-200B	BUK555-200A	BUK555-200A127	BUK555-200A,127
描述	TRANSISTOR 13 A, 200 V, 0.28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purpose Power	TRANSISTOR 13 A, 200 V, 0.28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN, FET General Purpose Power	14A, 200V, 0.23ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN	TRANSISTOR 14 A, 200 V, 0.23 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purpose Power	14A, 200V, 0.23ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
厂商名称	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN	PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	-	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）	100 mJ	100 mJ	-	100 mJ	100 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN	-	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	200 V	200 V	-	200 V	200 V
最大漏极电流 (ID)	13 A	13 A	-	14 A	14 A
最大漏源导通电阻	0.28 Ω	0.28 Ω	-	0.23 Ω	0.23 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-220AB	TO-220AB	-	TO-220AB	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	-	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3
元件数量	1	1	-	1	1
端子数量	3	3	-	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	-	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C	175 °C	-	175 °C	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	-	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	-	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	52 A	52 A	-	56 A	56 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	-	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	-	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	-	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	-	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	-	SILICON	SILICON

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