电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

K4F640812D-JP500

产品描述Fast Page DRAM, 8MX8, 50ns, CMOS, PDSO32
产品类别存储    存储   
文件大小172KB,共20页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
下载文档 详细参数 全文预览

K4F640812D-JP500概述

Fast Page DRAM, 8MX8, 50ns, CMOS, PDSO32

K4F640812D-JP500规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
包装说明SOJ, SOJ32,.44
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间50 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J32
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度8
端子数量32
字数8388608 words
字数代码8000000
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织8MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ32,.44
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
自我刷新YES
最大待机电流0.0002 A
最大压摆率0.1 mA
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 112  198  667  734  788 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved