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K4B1G0846G-BCH9000

产品描述DDR DRAM, 128MX8, 0.255ns, CMOS, PBGA78
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文件大小2MB,共64页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
标准
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K4B1G0846G-BCH9000概述

DDR DRAM, 128MX8, 0.255ns, CMOS, PBGA78

K4B1G0846G-BCH9000规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
包装说明FBGA, BGA78,9X13,32
Reach Compliance Codecompliant
最长访问时间0.255 ns
最大时钟频率 (fCLK)667 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B78
内存密度1073741824 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度8
端子数量78
字数134217728 words
字数代码128000000
组织128MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码FBGA
封装等效代码BGA78,9X13,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, FINE PITCH
电源1.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
连续突发长度4,8
最大压摆率0.13 mA
标称供电电压 (Vsup)1.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM

K4B1G0846G-BCH9000相似产品对比

K4B1G0846G-BCH9000 K4B1G0846G-BCH90 K4B1G0846G-BCK00 K4B1G0446G-BCF80 K4B1G0446G-BCMA0 K4B1G0446G-BCH90 K4B1G0446G-BCK00 K4B1G0846G-BCF80 K4B1G0846G-BCMA0
描述 DDR DRAM, 128MX8, 0.255ns, CMOS, PBGA78 DDR DRAM, 128MX8, 0.255ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78 DDR DRAM, 128MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78 DDR DRAM, 256MX4, 0.3ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78 DDR DRAM, 256MX4, 0.195ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78 DDR DRAM, 256MX4, 0.255ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78 DDR DRAM, 256MX4, 0.225ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78 DDR DRAM, 128MX8, 0.3ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78 DDR DRAM, 128MX8, 0.195ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
包装说明 FBGA, BGA78,9X13,32 TFBGA, BGA78,9X13,32 TFBGA, BGA78,9X13,32 TFBGA, BGA78,9X13,32 TFBGA, BGA78,9X13,32 TFBGA, BGA78,9X13,32 TFBGA, BGA78,9X13,32 TFBGA, BGA78,9X13,32 TFBGA, BGA78,9X13,32
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compli
最长访问时间 0.255 ns 0.255 ns 0.225 ns 0.3 ns 0.195 ns 0.255 ns 0.225 ns 0.3 ns 0.195 ns
最大时钟频率 (fCLK) 667 MHz 667 MHz 800 MHz 533 MHz 933 MHz 667 MHz 800 MHz 533 MHz 933 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
交错的突发长度 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8
JESD-30 代码 R-PBGA-B78 R-PBGA-B78 R-PBGA-B78 R-PBGA-B78 R-PBGA-B78 R-PBGA-B78 R-PBGA-B78 R-PBGA-B78 R-PBGA-B78
内存密度 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bi
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 8 8 8 4 4 4 4 8 8
端子数量 78 78 78 78 78 78 78 78 78
字数 134217728 words 134217728 words 134217728 words 268435456 words 268435456 words 268435456 words 268435456 words 134217728 words 134217728 words
字数代码 128000000 128000000 128000000 256000000 256000000 256000000 256000000 128000000 128000000
组织 128MX8 128MX8 128MX8 256MX4 256MX4 256MX4 256MX4 128MX8 128MX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 FBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA
封装等效代码 BGA78,9X13,32 BGA78,9X13,32 BGA78,9X13,32 BGA78,9X13,32 BGA78,9X13,32 BGA78,9X13,32 BGA78,9X13,32 BGA78,9X13,32 BGA78,9X13,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
电源 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192 8192 8192 8192 8192 8192 8192 8192
连续突发长度 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8
最大压摆率 0.13 mA 0.13 mA 0.135 mA 0.1 mA 0.135 mA 0.125 mA 0.128 mA 0.105 mA 0.14 mA
标称供电电压 (Vsup) 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
是否无铅 - 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
零件包装代码 - BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA
针数 - 78 78 78 78 78 78 78 78
ECCN代码 - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 - MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST
其他特性 - AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
长度 - 11 mm 11 mm 11 mm 11 mm 11 mm 11 mm 11 mm 11 mm
功能数量 - 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 - 1 1 1 1 1 1 1 1
工作模式 - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 - 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
座面最大高度 - 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
自我刷新 - YES YES YES YES YES YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) - 1.575 V 1.575 V 1.575 V 1.575 V 1.575 V 1.575 V 1.575 V 1.575 V
最小供电电压 (Vsup) - 1.425 V 1.425 V 1.425 V 1.425 V 1.425 V 1.425 V 1.425 V 1.425 V
温度等级 - OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 - 7.5 mm 7.5 mm 7.5 mm 7.5 mm 7.5 mm 7.5 mm 7.5 mm 7.5 mm
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