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HB56D473EJ-7B

产品描述Fast Page DRAM Module, 4MX72, 70ns, MOS, DIMM-168
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文件大小153KB,共13页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HB56D473EJ-7B概述

Fast Page DRAM Module, 4MX72, 70ns, MOS, DIMM-168

HB56D473EJ-7B规格参数

参数名称属性值
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM, DIMM168
针数168
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE
最长访问时间70 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH
备用内存宽度36
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N168
内存密度301989888 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度72
功能数量1
端口数量1
端子数量168
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX72
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM168
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期2048
座面最大高度25.4 mm
自我刷新NO
最大待机电流0.088 A
最大压摆率2.464 mA
最大供电电压 (Vsup)5.25 V
最小供电电压 (Vsup)4.75 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术MOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL

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HB56D473EJ Series
4,194,304-word
×
72-bit High Density Dynamic RAM Module
ADE-203-439 (Z)
Rev. 0.0
Jul. 24, 1995
Description
The HB56D473EJ belongs to 8 byte DIMM (Dual In-line Memory Module) family, and has been developed
as an optimized main memory solution for 4 and 8 Byte processor applications. The HB56D473EJ is a 4 M
×
72 dynamic RAM module, mounted 16 pieces of 16-Mbit DRAM (HM5117400BS) sealed in SOJ package
and 8 pieces of 4-Mbit DRAM (HM514100CS) sealed in SOJ package, 1 piece of 16-bit BiCMOS line driver
(74ABT16244) sealed in TSSOP package and 1 piece of 20-bit BiCMOS line driver (74ABT16827) sealed in
TSSOP package. An outline of the HB56D473EJ is 168-pin socket type package (dual lead out). Therefore,
the HB56D473EJ makes high density mounting possible without surface mount technology. The
HB56D473EJ provides common data inputs and outputs. Decoupling capacitors are mounted beneath each
SOJ on the its module board.
Features
168-pin socket type package (Dual lead out)
— Lead pitch: 1.27 mm
Single 5 V (±5%) supply
High speed
— Access time: t
RAC
= 60/70/80 ns (max)
— Access time: t
CAC
= 20/25/25 ns (max)
Low power dissipation
— Active mode: 14.2/13.0/11.7 W (max)
— Standby mode (TTL):
588 mW (max)
— Standby mode (CMOS): 462 mW (max).
Buffered input except
RAS
and DQ
4 byte interleave enabled, dual address input (A0/B0)
Fast page mode capability
2,048 refresh cycle: 32 ms
2 variations of refresh
RAS-only
refresh
CAS-before-RAS
refresh
TTL compatible

HB56D473EJ-7B相似产品对比

HB56D473EJ-7B HB56D473EJ-8B HB56D473EJ-6B
描述 Fast Page DRAM Module, 4MX72, 70ns, MOS, DIMM-168 Fast Page DRAM Module, 4MX72, 80ns, MOS, DIMM-168 Fast Page DRAM Module, 4MX72, 60ns, MOS, DIMM-168
零件包装代码 DIMM DIMM DIMM
包装说明 DIMM, DIMM168 DIMM, DIMM168 DIMM, DIMM168
针数 168 168 168
Reach Compliance Code unknown unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE
最长访问时间 70 ns 80 ns 60 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH
备用内存宽度 36 36 36
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168
内存密度 301989888 bit 301989888 bit 301989888 bi
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度 72 72 72
功能数量 1 1 1
端口数量 1 1 1
端子数量 168 168 168
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C
组织 4MX72 4MX72 4MX72
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM168 DIMM168 DIMM168
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 2048 2048 2048
座面最大高度 25.4 mm 25.4 mm 25.4 mm
自我刷新 NO NO NO
最大待机电流 0.088 A 0.088 A 0.088 A
最大压摆率 2.464 mA 2.224 mA 2.704 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.25 V 5.25 V 5.25 V
最小供电电压 (Vsup) 4.75 V 4.75 V 4.75 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO
技术 MOS MOS MOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
厂商名称 Hitachi (Renesas ) - Hitachi (Renesas )
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