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NAND512W3A1CN6E

产品描述64MX8 FLASH 3V PROM, 12000ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP-48
产品类别存储    存储   
文件大小150KB,共5页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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NAND512W3A1CN6E概述

64MX8 FLASH 3V PROM, 12000ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP-48

NAND512W3A1CN6E规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码TSOP
包装说明TSOP1,
针数48
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间12000 ns
JESD-30 代码R-PDSO-G48
JESD-609代码e3
长度18.4 mm
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
端子数量48
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织64MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度12 mm
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