PN3640L34Z,PN3640L34Z pdf中文资料,PN3640L34Z引脚图,PN3640L34Z电路-Datasheet-电子工程世界

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PN3640L34Z: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小689KB，共10页; 制造商Fairchild; 官网地址http://www.fairchildsemi.com/

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PN3640L34Z概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92

PN3640L34Z规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Fairchild
包装说明	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.2 A
集电极-发射极最大电压	12 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	20
JEDEC-95代码	TO-92
JESD-30 代码	O-PBCY-T3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
极性/信道类型	PNP
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	BOTTOM
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	500 MHz
最大关闭时间（toff）	35 ns
最大开启时间（吨）	25 ns

PN3640L34Z相似产品对比

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描述	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, 3 PIN	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92	Transistor	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, 3 PIN	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
厂商名称	Fairchild	Fairchild	Fairchild	Fairchild	Fairchild	Fairchild	Fairchild	Fairchild	Fairchild
包装说明	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	,	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code	unknown	compliant	compliant	unknown	compliant	compliant	unknown	compliant	unknown
最大集电极电流 (IC)	0.2 A	0.2 A	0.2 A	0.08 A	0.2 A	0.2 A	0.2 A	0.2 A	0.2 A
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	Single	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	20	20	20	20	20	20	20	20	20
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	140 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
极性/信道类型	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	YES	NO	NO	NO
标称过渡频率 (fT)	500 MHz	500 MHz	500 MHz	500 MHz	500 MHz	500 MHz	500 MHz	500 MHz	500 MHz
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
集电极-发射极最大电压	12 V	12 V	12 V	-	12 V	12 V	12 V	12 V	12 V
JEDEC-95代码	TO-92	-	TO-92	-	TO-92	-	-	TO-92	TO-92
JESD-30 代码	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	-	O-PBCY-T3	R-PDSO-G3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3
元件数量	1	1	1	-	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	-	3	3	3	3	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	-	ROUND	RECTANGULAR	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	-	CYLINDRICAL	SMALL OUTLINE	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	-	THROUGH-HOLE	GULL WING	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	-	BOTTOM	DUAL	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	-	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	-	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
最大关闭时间（toff）	35 ns	35 ns	35 ns	-	35 ns	35 ns	35 ns	35 ns	35 ns
最大开启时间（吨）	25 ns	25 ns	25 ns	-	25 ns	25 ns	25 ns	25 ns	25 ns
是否Rohs认证	-	符合	符合	不符合	符合	符合	-	符合	-
其他特性	-	HIGH SPEED SATURATED SWITCHING	HIGH SPEED SATURATED SWITCHING	-	HIGH SPEED SATURATED SWITCHING	HIGH SPEED SATURATED SWITCHING	HIGH SPEED SATURATED SWITCHING	HIGH SPEED SATURATED SWITCHING	HIGH SPEED SATURATED SWITCHING
JESD-609代码	-	e3	e3	e0	e3	e3	-	e3	-
最大功率耗散 (Abs)	-	0.6 W	0.6 W	0.6 W	0.6 W	0.225 W	-	0.6 W	-
端子面层	-	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	-	Matte Tin (Sn)	-

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