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2SB831B

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), PNP, MPAK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小23KB,共5页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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2SB831B概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), PNP, MPAK-3

2SB831B规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)0.7 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)85
JESD-30 代码R-PDSO-G3
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.15 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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2SB831
Silicon PNP Epitaxial
ADE-208-1033 (Z)
1st. Edition
Mar. 2001
Application
Low frequency amplifier
Complementary pair with 2SD1101
Outline
MPAK
3
1
2
1. Emitter
2. Base
3. Collector

2SB831B相似产品对比

2SB831B 2SB831-B 2SB831-C 2SB831C
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), PNP, MPAK-3 SMALL SIGNAL TRANSISTOR SMALL SIGNAL TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), PNP, MPAK-3
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
端子数量 3 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
Base Number Matches 1 1 1 1
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