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PH1516-30

产品描述L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小78KB,共3页
制造商TE Connectivity(泰科)
官网地址http://www.te.com
标准
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PH1516-30概述

L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR

PH1516-30规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称TE Connectivity(泰科)
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性WITH EMITTER BALLASTING RESISTORS
外壳连接EMITTER
最大集电极电流 (IC)10 A
集电极-发射极最大电压20 V
配置SINGLE
最高频带L BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

PH1516-30相似产品对比

PH1516-30
描述 L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
是否Rohs认证 符合
厂商名称 TE Connectivity(泰科)
包装说明 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
其他特性 WITH EMITTER BALLASTING RESISTORS
外壳连接 EMITTER
最大集电极电流 (IC) 10 A
集电极-发射极最大电压 20 V
配置 SINGLE
最高频带 L BAND
JESD-30 代码 R-CDFM-F2
元件数量 1
端子数量 2
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 FLAT
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON
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