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IDT70V3389S6PRF9

产品描述Dual-Port SRAM, 64KX18, 6ns, CMOS, PQFP128, PLASTIC, TQFP-128
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制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT70V3389S6PRF9概述

Dual-Port SRAM, 64KX18, 6ns, CMOS, PQFP128, PLASTIC, TQFP-128

IDT70V3389S6PRF9规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码QFP
包装说明LFQFP,
针数128
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间6 ns
其他特性PIPELINED OUTPUT MODE; SELF-TIMED WRITE CYCLE
JESD-30 代码R-PQFP-G128
JESD-609代码e0
长度20 mm
内存密度1179648 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量128
字数65536 words
字数代码64000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64KX18
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFQFP
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)3.45 V
最小供电电压 (Vsup)3.15 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度14 mm

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HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18
SYNCHRONOUS PIPELINED
DUAL-PORT STATIC RAM
WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
Features
IDT70V3389S
True Dual-Port memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
High-speed clock to data access
– Commercial: 4.2/5/6ns (max.)
– Industrial: 5ns (max)
Pipelined output mode
Counter enable and reset features
Dual chip enables allow for depth expansion without
additional logic
Full synchronous operation on both ports
– 7.5ns cycle time, 133MHz operation (9.6 Gbps bandwidth)
– Fast 4.2ns clock to data out
– 1.8ns setup to clock and 0.7ns hold on all control, data, and
address inputs @ 133MHz
– Data input, address, byte enable and control registers
– Self-timed write allows fast cycle time
Separate byte controls for multiplexed bus and bus
matching compatibility
LVTTL- compatible, single 3.3V (±150mV) power supply for
core
LVTTL- compatible, selectable 3.3V (±150mV)/2.5V (±125mV)
power supply for I/Os and control signals on each port
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is
available for selected speeds
Available in a 128-pin Thin Quad Plastic Flatpack (TQFP),
208-pin fine pitch Ball Grid Array, and 256-pin Ball
Grid Array
Functional Block Diagram
UB
L
UB
R
LB
R
R/W
R
B
W
0
L
B
W
1
L
B B
WW
1 0
R R
LB
L
R/W
L
CE
0L
CE
1L
CE
0R
CE
1R
OE
L
Dout0-8_L
Dout9-17_L
Dout0-8_R
Dout9-17_R
OE
R
64K x 18
MEMORY
ARRAY
I/O
0 L
- I/O
1 7 L
CLK
L
Din_L
Din_R
I/O
0R
- I/O
17R
CLK
R
A
15L
A
0L
CNTRST
L
ADS
L
CNTEN
L
Counter/
Address
Reg.
A
15R
ADDR_L
ADDR_R
Counter/
Address
Reg.
A
0R
CNTRST
R
ADS
R
CNTEN
R
4832 tbl 01
.
DECEMBER 2001
1
©2001 Integrated Device Technology, Inc.
DSC 4832/9

IDT70V3389S6PRF9相似产品对比

IDT70V3389S6PRF9 IDT70V3389S4PRF9 IDT70V3389S5PRF9
描述 Dual-Port SRAM, 64KX18, 6ns, CMOS, PQFP128, PLASTIC, TQFP-128 Dual-Port SRAM, 64KX18, 4.2ns, CMOS, PQFP128, PLASTIC, TQFP-128 Dual-Port SRAM, 64KX18, 5ns, CMOS, PQFP128, PLASTIC, TQFP-128
是否无铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码 QFP QFP QFP
包装说明 LFQFP, LFQFP, LFQFP,
针数 128 128 128
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 6 ns 4.2 ns 5 ns
其他特性 PIPELINED OUTPUT MODE; SELF-TIMED WRITE CYCLE PIPELINED OUTPUT MODE; SELF-TIMED WRITE CYCLE PIPELINED OUTPUT MODE; SELF-TIMED WRITE CYCLE
JESD-30 代码 R-PQFP-G128 R-PQFP-G128 R-PQFP-G128
JESD-609代码 e0 e0 e0
长度 20 mm 20 mm 20 mm
内存密度 1179648 bit 1179648 bit 1179648 bit
内存集成电路类型 DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM
内存宽度 18 18 18
湿度敏感等级 3 3 3
功能数量 1 1 1
端子数量 128 128 128
字数 65536 words 65536 words 65536 words
字数代码 64000 64000 64000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C
组织 64KX18 64KX18 64KX18
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LFQFP LFQFP LFQFP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 240 240 240
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.45 V 3.45 V 3.45 V
最小供电电压 (Vsup) 3.15 V 3.15 V 3.15 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 20 20 20
宽度 14 mm 14 mm 14 mm
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