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2SD1816TP

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TP, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小126KB,共4页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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2SD1816TP概述

Small Signal Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TP, 3 PIN

2SD1816TP规格参数

参数名称属性值
Objectid1481978285
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)4 A
集电极-发射极最大电压100 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)200
JESD-30 代码R-PSIP-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)180 MHz
最大关闭时间(toff)950 ns
最大开启时间(吨)100 ns
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