Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2SB828Q

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2SB828Q: 产品描述12A, 50V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218, TO-3PB, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小103KB，共4页; 制造商SANYO; 官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html

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2SB828Q概述

12A, 50V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218, TO-3PB, 3 PIN

2SB828Q规格参数

参数名称	属性值
零件包装代码	TO-218
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	2
Reach Compliance Code	unknow
最大集电极电流 (IC)	12 A
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	70
JEDEC-95代码	TO-218
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	PNP
功耗环境最大值	80 W
最大功率耗散 (Abs)	80 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	10 MHz
VCEsat-Max	0.5 V
Base Number Matches	1

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Ordering number:722G

PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Tranasistors

2SB828/2SD1064

50V/12A Switching Applications

Applications

· Relay drivers, high-speed inverters, converters, and

other general high-current switching applications.

Package Dimensions

unit:mm

2022A

[2SB828/2SD1064]

Features

· Low-saturation collector-to-emitter voltage :

CE(sat)

=–0.5V(PNP), 0.4V(NPN) max.

· Wide ASO leading to high resistance to breakdown.

( ) : 2SB828

1 ; Base

2 : Collector

3 : Emitter

SANYO : TO-3PB

Specifications

Absolute Maximum Ratings

at Ta = 25˚C

Parameter

Collector-to-Base Voltage

Collector-to-Emitter Voltage

Emitter-to-Base Voltage

Collector Current

Collector Current (Pulse)

Collector Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

Symbol

VCBO

VCEO

VEBO

ICP

Tstg

Conditions

Ratings

(–)60

(–)50

(–)6

(–)12

(–)17

Unit

Tc=25˚C

150

–55 to +150

˚C

Electrical Characteristics

at Ta = 25˚C

Parameter

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

Gain-Bandwidth Product

Collector-to-Emitter Saturation Voltage

Symbol

ICBO

IEBO

hFE1

hFE2

VCE(sat)

VCB=(–)40V, IE=0

VEB=(–)4V, IC=0

VCE=(–)2V, IC=(–)1A

VCE=(–)2V, IC=(–)5A

VCE=(–)5V, IC=(–)1A

IC=(–)6A, IB=(–)0.3A

70*

0.4

(–0.5)

MHz

Conditions

Ratings

min

ty p

max

(–)0.1

280*

Unit

* : The 2SB828/2SD1064 are classified by 1A h

as follows :

140

100

200

140

280

Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle

applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft’s

control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious

physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using

any SANYO products described or contained herein in such applications.

SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that

exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges,or other

parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained

herein.

SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquaters

TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN

91098HA (KT)/10996TS (KOTO)/2-3847/4027KI/7011KI No.722–1/4

2SB828/2SD1064

Specifications of any and all SANYO products described or contained herein stipulate the performance,

characteristics, and functions of the described products in the independent state, and are not guarantees

of the performance, characteristics, and functions of the described products as mounted in the customer’s

products or equipment. To verify symptoms and states that cannot be evaluated in an independent device,

the customer should always evaluate and test devices mounted in the customer’s products or equipment.

SANYO Electric Co., Ltd. strives to supply high-quality high-reliability products. However, any and all

semiconductor products fail with some probability. It is possible that these probabilistic failures could

give rise to accidents or events that could endanger human lives, that could give rise to smoke or fire,

or that could cause damage to other property. When designing equipment, adopt safety measures so

that these kinds of accidents or events cannot occur. Such measures include but are not limited to protective

circuits and error prevention circuits for safe design, redundant design, and structural design.

In the event that any and all SANYO products described or contained herein fall under strategic

products (including services) controlled under the Foreign Exchange and Foreign Trade Control Law of

Japan, such products must not be exported without obtaining export license from the Ministry of

International Trade and Industry in accordance with the above law.

No part of this publication may be reproduced or transmitted in any form or by any means, electronic or

mechanical, including photocopying and recording, or any information storage or retrieval system,

or otherwise, without the prior written permission of SANYO Electric Co. , Ltd.

Any and all information described or contained herein are subject to change without notice due to

product/technology improvement, etc. When designing equipment, refer to the “Delivery Specification”

for the SANYO product that you intend to use.

Information (including circuit diagrams and circuit parameters) herein is for example only ; it is not

guaranteed for volume production. SANYO believes information herein is accurate and reliable, but

no guarantees are made or implied regarding its use or any infringements of intellectual property rights

or other rights of third parties.

This catalog provides information as of September, 1998. Specifications and information herein are

subject to change without notice.

PS No.722–4/4

2SB828Q相似产品对比

	2SB828Q	2SB828R	2SB828S	2SD1064Q	2SD1064R	2SD1064S
描述	12A, 50V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218, TO-3PB, 3 PIN	12A, 50V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218, TO-3PB, 3 PIN	12A, 50V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218, TO-3PB, 3 PIN	12A, 50V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218, TO-3PB, 3 PIN	12A, 50V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218, TO-3PB, 3 PIN	12A, 50V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218, TO-3PB, 3 PIN
零件包装代码	TO-218	TO-218	TO-218	TO-218	TO-218	TO-218
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	2	2	2	2	2	2
Reach Compliance Code	unknow	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow
最大集电极电流 (IC)	12 A	12 A	12 A	12 A	12 A	12 A
集电极-发射极最大电压	50 V	50 V	50 V	50 V	50 V	50 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	70	100	140	70	100	140
JEDEC-95代码	TO-218	TO-218	TO-218	TO-218	TO-218	TO-218
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3
元件数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	PNP	PNP	PNP	NPN	NPN	NPN
功耗环境最大值	80 W	80 W	80 W	80 W	80 W	80 W
最大功率耗散 (Abs)	80 W	80 W	80 W	80 W	80 W	80 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	10 MHz	10 MHz	10 MHz	10 MHz	10 MHz	10 MHz
VCEsat-Max	0.5 V	0.5 V	0.5 V	0.4 V	0.4 V	0.4 V
Objectid	-	1417098378	1417098426	1417098544	1417098402	-

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