Schnelle IR-Lumineszenzdiode (950 nm) im 5 mm Radial-Gehäuse
High-Speed Infrared Emitter (950 nm) in 5 mm Radial Package
SFH 4501, SFH 4502, SFH 4503
SFH 4501
SFH 4502
SFH 4503
Wesentliche Merkmale
• GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
• Hohe Zuverlässigkeit
• Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
Anwendungen
• IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern
• Gerätefernsteuerungen für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• Sensorik
• Diskrete Lichtschranken
Typ
Type
SFH 4501
SFH 4502
SFH 4503
Bestellnummer Gehäuse
Ordering Code Package
Q62702-P5061
Q62702-P5062
Q62702-P5305
Features
• Very highly efficient GaAs-LED
• High reliability
• Spectral match with silicon photodetectors
Applications
• IR remote control of hi-fi and TV-sets, video
tape recorders, dimmers
• Remote control for steady and varying intensity
• Sensor technology
• Discrete interrupters
5-mm-LED-Gehäuse (T 1
3
/
4
), schwarz eingefärbt, Anschluß im
2.54-mm-Raster (
1
/
10
’’),
Anodenkennzeichnung: kürzerer Anschluß
5 mm LED package (T 1
3
/
4
), black-colored epoxy resin lens,
solder tabs lead spacing 2.54 mm (
1
/
10
’’),
anode marking: short lead
2000-01-01
1
OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 4501, SFH 4502, SFH 4503
Grenzwerte
(
T
A
= 25
°C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom,
t
p
=
10
µs,
D
= 0
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung,
freie Beinchenlänge max. 10 mm
Thermal resistance junction - ambient,
lead length between package bottom and PCB
max. 10 mm
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Spektrale Bandbreite bei 50% von
I
max
Spectral bandwidth at 50% of
I
max
I
F
= 100 m A,
t
p
= 20 ms
Abstrahlwinkel
Half angle
SFH 4501
SFH 4502
SFH 4503
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
950
Einheit
Unit
nm
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40
…
+ 100
3
100
1
180
375
Einheit
Unit
°C
V
mA
A
mW
K/W
T
op
;
T
stg
V
R
I
F
(DC)
I
FSM
P
tot
R
thJA
∆λ
40
nm
ϕ
±
7
±
18
±
4
Grad
deg.
A
L
×
B
L
×
W
0.09
0.3
×
0.3
mm
2
mm
2000-01-01
2
OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 4501, SFH 4502, SFH 4503
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
(cont’d)
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
10
Einheit
Unit
ns
Schaltzeiten,
I
e
von 10% auf 90% und von 90%
t
r
,
t
f
auf 10%, bei
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms,
R
L
= 50
Ω
Switching times,
Ι
e
from 10% to 90% and from
90% to 10%,
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms,
R
L
= 50
Ω
Kapazität
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
Durchlaßspannung,
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
Sperrstrom,
Reverse current
V
R
= 3 V
Gesamtstrahlungsfluß,
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
λ,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
λ,
I
F
= 100 mA
C
o
35
pF
V
F
V
F
I
R
1.5 (≤ 1.8)
3.2 (≤ 3.6)
0.01 (≤ 10)
V
V
µA
Φ
e
32
mW
TC
I
– 0.44
%/K
TC
V
TC
λ
– 1.5
+ 0.2
mV/K
nm/K
2000-01-01
3
OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 4501, SFH 4502, SFH 4503
Strahlstärke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 sr
Radiant Intensity
I
e
in Axial Direction
at a solid angle of
Ω
= 0.01 sr
Bezeichnung
Description
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
Symbol
SFH 4501
I
e min
I
e typ
I
e typ
63
90
550
Werte
Values
SFH 4502
25
50
310
SFH 4503
63
200
1200
mW/sr
Einheit
Unit
mW/sr
2000-01-01
4
OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 4501, SFH 4502, SFH 4503
Relative Spectral Emission
I
rel
=
f
(λ)
100
OHF00777
Radiant Intensity
Ι
e
100 mA
Ι
e
=
f
(
I
F
)
Single pulse,
t
p
= 20
µs
10
2
Ι
e
OHF00809
Max. Permissible Forward Current
I
F
=
f
(
T
A
)
120
OHF00359
Ι
rel
80
Ι
F
mA
100
Ι
e (100 mA)
80
60
10
0
R
thJA
= 450 K/W
60
40
10
-1
40
20
10
-2
20
0
800 850
900
950 1000
nm 1100
10
-3
10
0
10
1
10
2
λ
10
3
mA 10
4
Ι
F
0
0
20
40
60
80
100 ˚C 120
T
A
Forward Current
I
F
=
f
(
V
F
)
single pulse,
t
p
= 20
µs
Ι
F
10
4
mA
10
3
10
2
10
1
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
OHF00784
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5
V 4.5
V
F
2000-01-01
5
OPTO SEMICONDUCTORS
Microchip MCU
京公网安备 11010802033920号
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