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2SC3420BL

产品描述TRANSISTOR 5 A, 20 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小80KB,共2页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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2SC3420BL概述

TRANSISTOR 5 A, 20 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power

2SC3420BL规格参数

参数名称属性值
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)5 A
集电极-发射极最大电压20 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)300
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
Base Number Matches1

2SC3420BL相似产品对比

2SC3420BL 2SC3420GR 2SC3420Y
描述 TRANSISTOR 5 A, 20 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power TRANSISTOR 5 A, 20 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power TRANSISTOR 5 A, 20 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
最大集电极电流 (IC) 5 A 5 A 5 A
集电极-发射极最大电压 20 V 20 V 20 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 300 200 140
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz 100 MHz
Base Number Matches 1 1 1
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