APT3010BNR-BUTT,APT3010BNR-BUTT pdf中文资料,APT3010BNR-BUTT引脚图,APT3010BNR-BUTT电路-Datasheet-电子工程世界

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APT3010BNR-BUTT: 产品描述35A, 300V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小82KB，共2页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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APT3010BNR-BUTT概述

35A, 300V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247

APT3010BNR-BUTT规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Microsemi
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	1300 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	300 V
最大漏极电流 (ID)	35 A
最大漏源导通电阻	0.1 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	300 pF
JEDEC-95代码	TO-247
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	360 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	140 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	230 ns
最大开启时间（吨）	120 ns

APT3010BNR-BUTT相似产品对比

	APT3010BNR-BUTT	APT3010BNR-GULLWING	APT30M85BNR-GULLWING	APT30M85BNR-BUTT
描述	35A, 300V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247	35A, 300V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN	40A, 300V, 0.085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN	40A, 300V, 0.085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
厂商名称	Microsemi	Microsemi	Microsemi	Microsemi
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-G3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-G3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	1300 mJ	1300 mJ	1300 mJ	1300 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	300 V	300 V	300 V	300 V
最大漏极电流 (ID)	35 A	35 A	40 A	40 A
最大漏源导通电阻	0.1 Ω	0.1 Ω	0.085 Ω	0.085 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	300 pF	300 pF	300 pF	300 pF
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSFM-G3	R-PSFM-G3	R-PSFM-T3
元件数量	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
功耗环境最大值	360 W	360 W	360 W	360 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	140 A	140 A	160 A	160 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	YES	YES	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
最大关闭时间（toff）	230 ns	230 ns	230 ns	230 ns
最大开启时间（吨）	120 ns	120 ns	120 ns	120 ns

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