Power Bipolar Transistor, 0.75A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin,
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| Objectid | 2078586305 |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 外壳连接 | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.75 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 100 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 20 |
| JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.8 W |
| 认证状态 | Qualified |
| 参考标准 | MIL-19500/263A |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 16 MHz |
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