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HCTS10KMSH

产品描述NAND Gate, HCT Series, 3-Func, 3-Input, CMOS, CDFP14
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小220KB,共6页
制造商Harris
官网地址http://www.harris.com/
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HCTS10KMSH概述

NAND Gate, HCT Series, 3-Func, 3-Input, CMOS, CDFP14

HCTS10KMSH规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Harris
包装说明DFP, FL14,.3
Reach Compliance Codeunknown
其他特性RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY
系列HCT
JESD-30 代码R-CDFP-F14
JESD-609代码e0
负载电容(CL)50 pF
逻辑集成电路类型NAND GATE
最大I(ol)0.004 A
功能数量3
输入次数3
端子数量14
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DFP
封装等效代码FL14,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
电源5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup26 ns
传播延迟(tpd)28 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器NO
筛选级别38535V;38534K;883S
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式FLAT
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
总剂量1M Rad(Si) V

HCTS10KMSH相似产品对比

HCTS10KMSH 5962R9576501VCX 5962R9576501VXX 5962R9576501VCC HCTS10DMSH
描述 NAND Gate, HCT Series, 3-Func, 3-Input, CMOS, CDFP14 NAND Gate, HCT Series, 3-Func, 3-Input, CMOS, CDIP14 NAND Gate, HCT Series, 3-Func, 3-Input, CMOS, CDFP14 NAND Gate, HCT Series, 3-Func, 3-Input, CMOS, CDIP14 NAND Gate, HCT Series, 3-Func, 3-Input, CMOS, CDIP14
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
其他特性 RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY
系列 HCT HCT HCT HCT HCT
JESD-30 代码 R-CDFP-F14 R-CDIP-T14 R-CDFP-F14 R-CDIP-T14 R-CDIP-T14
逻辑集成电路类型 NAND GATE NAND GATE NAND GATE NAND GATE NAND GATE
功能数量 3 3 3 3 3
输入次数 3 3 3 3 3
端子数量 14 14 14 14 14
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK IN-LINE FLATPACK IN-LINE IN-LINE
传播延迟(tpd) 28 ns 24 ns 24 ns 24 ns 28 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES NO YES NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子形式 FLAT THROUGH-HOLE FLAT THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
总剂量 1M Rad(Si) V 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V 1M Rad(Si) V
JESD-609代码 e0 - - e4 e0
负载电容(CL) 50 pF - - 50 pF 50 pF
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - - GOLD Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches - 1 1 1 -
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