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K4X51163PC-LGCA0

产品描述DDR DRAM, 32MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60
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文件大小217KB,共23页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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K4X51163PC-LGCA0概述

DDR DRAM, 32MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60

K4X51163PC-LGCA0规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码BGA
包装说明VFBGA, BGA60,9X10,32
针数60
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间6 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)111 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度2,4,8,16
JESD-30 代码R-PBGA-B60
长度11.5 mm
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度16
湿度敏感等级1
功能数量1
端口数量1
端子数量60
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-25 °C
组织32MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VFBGA
封装等效代码BGA60,9X10,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)225
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度1 mm
自我刷新YES
连续突发长度2,4,8,16
最大待机电流0.0003 A
最大压摆率0.135 mA
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10 mm

K4X51163PC-LGCA0相似产品对比

K4X51163PC-LGCA0 K4X51163PC-FGCA0 K4X51163PC-FGC30 K4X51163PC-FECA0 K4X51163PC-FEC30 K4X51163PC-LECA0 K4X51163PC-LGC30 K4X51163PC-LEC30
描述 DDR DRAM, 32MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60 DDR DRAM, 32MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, LEAD FREE, FBGA-60 DDR DRAM, 32MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, LEAD FREE, FBGA-60 DDR DRAM, 32MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, LEAD FREE, FBGA-60 DDR DRAM, 32MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, LEAD FREE, FBGA-60 DDR DRAM, 32MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60 DDR DRAM, 32MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60 DDR DRAM, 32MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60
是否Rohs认证 不符合 符合 符合 符合 符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA
包装说明 VFBGA, BGA60,9X10,32 VFBGA, BGA60,9X10,32 VFBGA, BGA60,9X10,32 VFBGA, BGA60,9X10,32 VFBGA, BGA60,9X10,32 VFBGA, BGA60,9X10,32 VFBGA, BGA60,9X10,32 VFBGA, BGA60,9X10,32
针数 60 60 60 60 60 60 60 60
Reach Compliance Code compliant unknown unknown compliant unknown compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 6 ns 6 ns 6 ns 6 ns 6 ns 6 ns 6 ns 6 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 111 MHz 111 MHz 133 MHz 111 MHz 133 MHz 111 MHz 133 MHz 133 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
交错的突发长度 2,4,8,16 2,4,8,16 2,4,8,16 2,4,8,16 2,4,8,16 2,4,8,16 2,4,8,16 2,4,8,16
JESD-30 代码 R-PBGA-B60 R-PBGA-B60 R-PBGA-B60 R-PBGA-B60 R-PBGA-B60 R-PBGA-B60 R-PBGA-B60 R-PBGA-B60
长度 11.5 mm 11.5 mm 11.5 mm 11.5 mm 11.5 mm 11.5 mm 11.5 mm 11.5 mm
内存密度 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 16 16 16 16 16 16 16 16
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 60 60 60 60 60 60 60 60
字数 33554432 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words
字数代码 32000000 32000000 32000000 32000000 32000000 32000000 32000000 32000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -25 °C -25 °C -25 °C -25 °C -25 °C -25 °C -25 °C -25 °C
组织 32MX16 32MX16 32MX16 32MX16 32MX16 32MX16 32MX16 32MX16
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 VFBGA VFBGA VFBGA VFBGA VFBGA VFBGA VFBGA VFBGA
封装等效代码 BGA60,9X10,32 BGA60,9X10,32 BGA60,9X10,32 BGA60,9X10,32 BGA60,9X10,32 BGA60,9X10,32 BGA60,9X10,32 BGA60,9X10,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度) 225 260 260 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 225 225 225
电源 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192 8192 8192 8192 8192 8192 8192
座面最大高度 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm
自我刷新 YES YES YES YES YES YES YES YES
连续突发长度 2,4,8,16 2,4,8,16 2,4,8,16 2,4,8,16 2,4,8,16 2,4,8,16 2,4,8,16 2,4,8,16
最大待机电流 0.0003 A 0.0003 A 0.0003 A 0.0003 A 0.0003 A 0.0003 A 0.0003 A 0.0003 A
最大压摆率 0.135 mA 0.135 mA 0.15 mA 0.135 mA 0.15 mA 0.135 mA 0.15 mA 0.15 mA
最大供电电压 (Vsup) 1.95 V 1.95 V 1.95 V 1.95 V 1.95 V 1.95 V 1.95 V 1.95 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 10 mm 10 mm 10 mm 10 mm 10 mm 10 mm 10 mm 10 mm
湿度敏感等级 1 3 3 - - 1 1 1

 
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