K4X51163PC-FEC30,K4X51163PC-FEC30 pdf中文资料,K4X51163PC-FEC30引脚图,K4X51163PC-FEC30电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> K4X51163PC-FEC30

K4X51163PC-FEC30: 产品描述DDR DRAM, 32MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, LEAD FREE, FBGA-60; 产品类别存储存储; 文件大小217KB，共23页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/; 标准

下载文档详细参数选型对比全文预览

K4X51163PC-FEC30概述

DDR DRAM, 32MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, LEAD FREE, FBGA-60

K4X51163PC-FEC30规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	BGA
包装说明	VFBGA, BGA60,9X10,32
针数	60
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	6 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	2,4,8,16
JESD-30 代码	R-PBGA-B60
长度	11.5 mm
内存密度	536870912 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	60
字数	33554432 words
字数代码	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-25 °C
组织	32MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VFBGA
封装等效代码	BGA60,9X10,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
座面最大高度	1 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	2,4,8,16
最大待机电流	0.0003 A
最大压摆率	0.15 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	10 mm

K4X51163PC-FEC30相似产品对比

	K4X51163PC-FEC30	K4X51163PC-FGCA0	K4X51163PC-FGC30	K4X51163PC-FECA0	K4X51163PC-LGCA0	K4X51163PC-LECA0	K4X51163PC-LGC30	K4X51163PC-LEC30
描述	DDR DRAM, 32MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, LEAD FREE, FBGA-60	DDR DRAM, 32MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, LEAD FREE, FBGA-60	DDR DRAM, 32MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, LEAD FREE, FBGA-60	DDR DRAM, 32MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, LEAD FREE, FBGA-60	DDR DRAM, 32MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60	DDR DRAM, 32MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60	DDR DRAM, 32MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60	DDR DRAM, 32MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	VFBGA, BGA60,9X10,32	VFBGA, BGA60,9X10,32	VFBGA, BGA60,9X10,32	VFBGA, BGA60,9X10,32	VFBGA, BGA60,9X10,32	VFBGA, BGA60,9X10,32	VFBGA, BGA60,9X10,32	VFBGA, BGA60,9X10,32
针数	60	60	60	60	60	60	60	60
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	6 ns	6 ns	6 ns	6 ns	6 ns	6 ns	6 ns	6 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz	111 MHz	133 MHz	111 MHz	111 MHz	111 MHz	133 MHz	133 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	2,4,8,16	2,4,8,16	2,4,8,16	2,4,8,16	2,4,8,16	2,4,8,16	2,4,8,16	2,4,8,16
JESD-30 代码	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60
长度	11.5 mm	11.5 mm	11.5 mm	11.5 mm	11.5 mm	11.5 mm	11.5 mm	11.5 mm
内存密度	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	16	16	16	16	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	60	60	60	60	60	60	60	60
字数	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words
字数代码	32000000	32000000	32000000	32000000	32000000	32000000	32000000	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-25 °C	-25 °C	-25 °C	-25 °C	-25 °C	-25 °C	-25 °C	-25 °C
组织	32MX16	32MX16	32MX16	32MX16	32MX16	32MX16	32MX16	32MX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VFBGA	VFBGA	VFBGA	VFBGA	VFBGA	VFBGA	VFBGA	VFBGA
封装等效代码	BGA60,9X10,32	BGA60,9X10,32	BGA60,9X10,32	BGA60,9X10,32	BGA60,9X10,32	BGA60,9X10,32	BGA60,9X10,32	BGA60,9X10,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	260	260	NOT SPECIFIED	225	225	225	225
电源	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192
座面最大高度	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
连续突发长度	2,4,8,16	2,4,8,16	2,4,8,16	2,4,8,16	2,4,8,16	2,4,8,16	2,4,8,16	2,4,8,16
最大待机电流	0.0003 A	0.0003 A	0.0003 A	0.0003 A	0.0003 A	0.0003 A	0.0003 A	0.0003 A
最大压摆率	0.15 mA	0.135 mA	0.15 mA	0.135 mA	0.135 mA	0.135 mA	0.15 mA	0.15 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V	1.95 V	1.95 V	1.95 V	1.95 V	1.95 V	1.95 V	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	10 mm	10 mm	10 mm	10 mm	10 mm	10 mm	10 mm	10 mm
湿度敏感等级	-	3	3	-	1	1	1	1

K4X51163PC-FEC30

K4X51163PC-FEC30概述

K4X51163PC-FEC30规格参数

K4X51163PC-FEC30相似产品对比

推荐资源