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NP55N04SUG-E1-AY

产品描述Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 40V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, ROHS COMPLIANT, TO-252, MP-3ZK, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小156KB,共7页
制造商NEC(日电)
标准
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NP55N04SUG-E1-AY概述

Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 40V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, ROHS COMPLIANT, TO-252, MP-3ZK, 3 PIN

NP55N04SUG-E1-AY规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称NEC(日电)
包装说明ROHS COMPLIANT, TO-252, MP-3ZK, 3 PIN
Reach Compliance Codecompliant
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压40 V
最大漏极电流 (ID)55 A
最大漏源导通电阻0.0065 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)220 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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