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2SB1317Q: 产品描述Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-3L-A1, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小86KB，共4页; 制造商Panasonic(松下); 官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html

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2SB1317Q概述

Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-3L-A1, 3 PIN

	2SB1317Q	2SB1317P	2SB1317S
描述	Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-3L-A1, 3 PIN	Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-3L-A1, 3 PIN	Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-3L-A1, 3 PIN
零件包装代码	TO-3LA1	TO-3LA1	TO-3LA1
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	3	3	3
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	15 A	15 A	15 A
集电极-发射极最大电压	180 V	180 V	180 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	60	100	80
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3
元件数量	1	1	1
端子数量	3	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	PNP	PNP	PNP
最大功率耗散 (Abs)	3.5 W	3.5 W	3.5 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	20 MHz	20 MHz	20 MHz
Base Number Matches	1	1	1

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