电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

AT29C020-15DM/883

产品描述Flash, 256KX8, 150ns, CDIP32, 0.600 INCH, CERDIP-32
产品类别存储    存储   
文件大小360KB,共11页
制造商Atmel (Microchip)
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

AT29C020-15DM/883概述

Flash, 256KX8, 150ns, CDIP32, 0.600 INCH, CERDIP-32

AT29C020-15DM/883规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Atmel (Microchip)
零件包装代码DIP
包装说明0.600 INCH, CERDIP-32
针数32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间150 ns
启动块BOTTOM/TOP
命令用户界面NO
数据轮询YES
JESD-30 代码R-GDIP-T32
JESD-609代码e0
长度42.2 mm
内存密度2097152 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
部门数/规模1K
端子数量32
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织256KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装等效代码DIP32,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度5.72 mm
部门规模256
最大待机电流0.0003 A
最大压摆率0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度15.24 mm

AT29C020-15DM/883相似产品对比

AT29C020-15DM/883 AT29C020-20DM AT29C020-20DM/883 AT29C020-15DM
描述 Flash, 256KX8, 150ns, CDIP32, 0.600 INCH, CERDIP-32 Flash, 256KX8, 200ns, CDIP32, 0.600 INCH, CERDIP-32 Flash, 256KX8, 200ns, CDIP32, 0.600 INCH, CERDIP-32 Flash, 256KX8, 150ns, CDIP32, 0.600 INCH, CERDIP-32
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Atmel (Microchip) Atmel (Microchip) Atmel (Microchip) Atmel (Microchip)
零件包装代码 DIP DIP DIP DIP
包装说明 0.600 INCH, CERDIP-32 DIP, DIP32,.6 DIP, DIP32,.6 0.600 INCH, CERDIP-32
针数 32 32 32 32
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C
最长访问时间 150 ns 200 ns 200 ns 150 ns
启动块 BOTTOM/TOP BOTTOM/TOP BOTTOM/TOP BOTTOM/TOP
命令用户界面 NO NO NO NO
数据轮询 YES YES YES YES
JESD-30 代码 R-GDIP-T32 R-GDIP-T32 R-GDIP-T32 R-GDIP-T32
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
长度 42.2 mm 42.2 mm 42.2 mm 42.2 mm
内存密度 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit
内存集成电路类型 FLASH FLASH FLASH FLASH
内存宽度 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1
部门数/规模 1K 1K 1K 1K
端子数量 32 32 32 32
字数 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words
字数代码 256000 256000 256000 256000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
组织 256KX8 256KX8 256KX8 256KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码 DIP DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP32,.6 DIP32,.6 DIP32,.6 DIP32,.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V 5 V
编程电压 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.72 mm 5.72 mm 5.72 mm 5.72 mm
部门规模 256 256 256 256
最大待机电流 0.0003 A 0.0003 A 0.0003 A 0.0003 A
最大压摆率 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
切换位 YES YES YES YES
类型 NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE
宽度 15.24 mm 15.24 mm 15.24 mm 15.24 mm

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 235  867  973  1204  1428 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved