AT29C020-20DM,AT29C020-20DM pdf中文资料,AT29C020-20DM引脚图,AT29C020-20DM电路-Datasheet-电子工程世界

AT29C020-20DM: 产品描述Flash, 256KX8, 200ns, CDIP32, 0.600 INCH, CERDIP-32; 产品类别存储存储; 文件大小360KB，共11页; 制造商Atmel (Microchip)

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AT29C020-20DM概述

Flash, 256KX8, 200ns, CDIP32, 0.600 INCH, CERDIP-32

AT29C020-20DM规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Atmel (Microchip)
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP32,.6
针数	32
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	200 ns
启动块	BOTTOM/TOP
命令用户界面	NO
数据轮询	YES
JESD-30 代码	R-GDIP-T32
JESD-609代码	e0
长度	42.2 mm
内存密度	2097152 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	8
功能数量	1
部门数/规模	1K
端子数量	32
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	256KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP32,.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
编程电压	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.72 mm
部门规模	256
最大待机电流	0.0003 A
最大压摆率	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
切换位	YES
类型	NOR TYPE
宽度	15.24 mm

AT29C020-20DM相似产品对比

	AT29C020-20DM	AT29C020-20DM/883	AT29C020-15DM	AT29C020-15DM/883
描述	Flash, 256KX8, 200ns, CDIP32, 0.600 INCH, CERDIP-32	Flash, 256KX8, 200ns, CDIP32, 0.600 INCH, CERDIP-32	Flash, 256KX8, 150ns, CDIP32, 0.600 INCH, CERDIP-32	Flash, 256KX8, 150ns, CDIP32, 0.600 INCH, CERDIP-32
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Atmel (Microchip)	Atmel (Microchip)	Atmel (Microchip)	Atmel (Microchip)
零件包装代码	DIP	DIP	DIP	DIP
包装说明	DIP, DIP32,.6	DIP, DIP32,.6	0.600 INCH, CERDIP-32	0.600 INCH, CERDIP-32
针数	32	32	32	32
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C
最长访问时间	200 ns	200 ns	150 ns	150 ns
启动块	BOTTOM/TOP	BOTTOM/TOP	BOTTOM/TOP	BOTTOM/TOP
命令用户界面	NO	NO	NO	NO
数据轮询	YES	YES	YES	YES
JESD-30 代码	R-GDIP-T32	R-GDIP-T32	R-GDIP-T32	R-GDIP-T32
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
长度	42.2 mm	42.2 mm	42.2 mm	42.2 mm
内存密度	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit
内存集成电路类型	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH
内存宽度	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1
部门数/规模	1K	1K	1K	1K
端子数量	32	32	32	32
字数	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	256000	256000	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	256KX8	256KX8	256KX8	256KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP	DIP	DIP	DIP
封装等效代码	DIP32,.6	DIP32,.6	DIP32,.6	DIP32,.6
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	5 V	5 V	5 V	5 V
编程电压	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	5.72 mm	5.72 mm	5.72 mm	5.72 mm
部门规模	256	256	256	256
最大待机电流	0.0003 A	0.0003 A	0.0003 A	0.0003 A
最大压摆率	0.05 mA	0.05 mA	0.05 mA	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
切换位	YES	YES	YES	YES
类型	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE
宽度	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm

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