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GM23C32000-12

产品描述MASK ROM, 2MX16, 120ns, CMOS, PDIP42,
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文件大小192KB,共4页
制造商LG Semicon Co Ltd
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GM23C32000-12概述

MASK ROM, 2MX16, 120ns, CMOS, PDIP42,

GM23C32000-12规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称LG Semicon Co Ltd
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间120 ns
JESD-30 代码R-PDIP-T42
JESD-609代码e0
内存密度33554432 bit
内存集成电路类型MASK ROM
内存宽度16
端子数量42
字数2097152 words
字数代码2000000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP42,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.0001 A
最大压摆率0.06 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL

GM23C32000-12相似产品对比

GM23C32000-12 GM23C32000-15
描述 MASK ROM, 2MX16, 120ns, CMOS, PDIP42, MASK ROM, 2MX16, 150ns, CMOS, PDIP42,
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 LG Semicon Co Ltd LG Semicon Co Ltd
Reach Compliance Code unknown unknown
最长访问时间 120 ns 150 ns
JESD-30 代码 R-PDIP-T42 R-PDIP-T42
JESD-609代码 e0 e0
内存密度 33554432 bit 33554432 bit
内存集成电路类型 MASK ROM MASK ROM
内存宽度 16 16
端子数量 42 42
字数 2097152 words 2097152 words
字数代码 2000000 2000000
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 2MX16 2MX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP
封装等效代码 DIP42,.6 DIP42,.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE
电源 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.0001 A 0.0001 A
最大压摆率 0.06 mA 0.06 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL
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