MASK ROM, 2MX16, 120ns, CMOS, PDIP42,
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | LG Semicon Co Ltd |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 最长访问时间 | 120 ns |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T42 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 33554432 bit |
| 内存集成电路类型 | MASK ROM |
| 内存宽度 | 16 |
| 端子数量 | 42 |
| 字数 | 2097152 words |
| 字数代码 | 2000000 |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 2MX16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP42,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.0001 A |
| 最大压摆率 | 0.06 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| GM23C32000-12 | GM23C32000-15 | |
|---|---|---|
| 描述 | MASK ROM, 2MX16, 120ns, CMOS, PDIP42, | MASK ROM, 2MX16, 150ns, CMOS, PDIP42, |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | LG Semicon Co Ltd | LG Semicon Co Ltd |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| 最长访问时间 | 120 ns | 150 ns |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T42 | R-PDIP-T42 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 内存密度 | 33554432 bit | 33554432 bit |
| 内存集成电路类型 | MASK ROM | MASK ROM |
| 内存宽度 | 16 | 16 |
| 端子数量 | 42 | 42 |
| 字数 | 2097152 words | 2097152 words |
| 字数代码 | 2000000 | 2000000 |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 2MX16 | 2MX16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | DIP |
| 封装等效代码 | DIP42,.6 | DIP42,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE |
| 电源 | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.0001 A | 0.0001 A |
| 最大压摆率 | 0.06 mA | 0.06 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
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