HYM71V32635AT8N-K,HYM71V32635AT8N-K pdf中文资料,HYM71V32635AT8N-K引脚图,HYM71V32635AT8N-K电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HYM71V32635AT8N-K

HYM71V32635AT8N-K: 产品描述Synchronous DRAM Module, 32MX64, 5.4ns, CMOS, DIMM-168; 产品类别存储存储; 文件大小231KB，共14页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/

下载文档详细参数选型对比全文预览

HYM71V32635AT8N-K概述

Synchronous DRAM Module, 32MX64, 5.4ns, CMOS, DIMM-168

HYM71V32635AT8N-K规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM168
针数	168
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	5.4 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N168
内存密度	2147483648 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	168
字数	33554432 words
字数代码	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	32MX64
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM168
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
自我刷新	YES
最大待机电流	0.032 A
最大压摆率	3.84 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL

HYM71V32635AT8N-K相似产品对比

	HYM71V32635AT8N-K	HYM71V32635ALT8N-K	HYM71V32635AT8N-H	HYM71V32635ALT8N-H
描述	Synchronous DRAM Module, 32MX64, 5.4ns, CMOS, DIMM-168	Synchronous DRAM Module, 32MX64, 5.4ns, CMOS, DIMM-168	Synchronous DRAM Module, 32MX64, 5.4ns, CMOS, DIMM-168	Synchronous DRAM Module, 32MX64, 5.4ns, CMOS, DIMM-168
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168
针数	168	168	168	168
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	5.4 ns	5.4 ns	5.4 ns	5.4 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz	133 MHz	133 MHz	133 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168
内存密度	2147483648 bit	2147483648 bit	2147483648 bit	2147483648 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度	64	64	64	64
功能数量	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1
端子数量	168	168	168	168
字数	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words
字数代码	32000000	32000000	32000000	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	32MX64	32MX64	32MX64	32MX64
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM168	DIMM168	DIMM168	DIMM168
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096	4096
自我刷新	YES	YES	YES	YES
最大待机电流	0.032 A	0.032 A	0.032 A	0.032 A
最大压摆率	3.84 mA	3.84 mA	3.52 mA	3.52 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL

推荐资源

LC2190(空调器、电风扇、收录机、电视机和玩具)红外线、超声波和无线电遥控发射电路

由可边电容调谐的超短波接收机电路

stm32F207的USB（host模式下U盘）驱动设计: 目前将USB模块(官方的例子）放到rt-thread的操作系统中与SD卡同时使能操作使用实现SD到U盘的文件拷贝，测试是通过的，但是USB模块是用文件系统的接口直接操作文件读写的，没有使用posix风格的接口（即SD卡的文件操作接口与USB不统一）。查一些资料知道rt-thread是可以多设备的，但是看它上层的接口如open好像根本没有设备选择的参数送进去啊（如这是fatfs文件系统的f_ope...; dfishing 嵌入式系统

请问STM32F103ZE中如何对FLASH中特定的地址上写特定的值？: 请问STM32F103ZE中如何对FLASH中特定的地址上写特定的值？针对这个问题，我参考了2.0版本的固件库上FLASH写的例子程序（对0x08008000——0x0800C000地址上面写0x15041979）,例子的目录为：..\FWLib\examples\FLASH\Program.但是我把这个例子移植到我的EK-STM3210E的板子上运行，数据怎么也写不进去，十分郁闷，请求达人帮忙...; Alen.yang stm32/stm8

单片机C语言-十六种方式流水灯（13）: [b][color=#5E7384]此内容由EEWORLD论坛网友[size=3]tiankai001[/size]原创，如需转载或用于商业用途需征得作者同意并注明出处[/color][/b][b][color=#5E7384][/color][/b][align=left][color=rgb(34, 34, 34)][font="]简介：[/font][/color][/align][...; tiankai001 51单片机

如何使用霍尔效应传感器和电流检测放大器进行真无线耳机设计: TWS（True Wireless Stereo，真无线耳机）正在耳机市场中快速崛起。现在，用户在使用流媒体设备时不必再为耳机线的缠绕问题而困扰了。真无线耳机是基于Bluetooth的无线耳机，其左右通道被分离成独立又相互配对的两个个体。尽管这种创新设计使用户不再需要用线连接手机或其它设备，但这给耳机制造商带来了一系列新的设计挑战。　　为了最大限度地延长电池寿命和电池运行时间，耳机必须确保在充电盒...; Aguilera 模拟与混合信号

高清将是监控趋势未来侧重IP系统的竞争: 无论是模拟监控还是IP监控都可以实现高清，但就目前的技术而言，市场短期内在模拟监控和IP监控里实现高清都面临着挑战。模拟监控系统存在一个从模拟转成数字，再从数字转换成模拟的压缩和解压缩，这个过程会造成图像损失，所以模拟实现“高清”面临着许多制约。与模拟摄像机不同的是，IP监控的传输，存储，显示都是数字的，节省了由于模拟和数字转化造成的图像损失，随着百万像素IP摄像机分辨率越来越高，图像的画质也在不...; xyh_521 安防电子

net broken 如何修复: 我自己画了一块FPGA的开发板，但是在AD自动布线时候我觉得布局不合理我就停止了，导致网络损坏，有没有高手可以指点一下，有没有简洁的方法恢复啊，我不想重新导入太麻烦了谢谢了...; 鑫海宝贝 PCB设计

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多