Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 4-Element, NPN and PNP, Silicon, TO-116, Plastic/Epoxy, 14 Pin, DIP-14
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Central Semiconductor |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | IN-LINE, R-PDIP-T14 |
| 针数 | 14 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.5 A |
| 基于收集器的最大容量 | 8 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 30 V |
| 配置 | SEPARATE, 4 ELEMENTS |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 30 |
| JEDEC-95代码 | TO-116 |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T14 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 元件数量 | 4 |
| 端子数量 | 14 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | NPN AND PNP |
| 功耗环境最大值 | 1.25 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 1.25 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 200 MHz |
| VCEsat-Max | 1.4 V |
| MPQ6002LEADFREE | MPQ6502LEADFREE | |
|---|---|---|
| 描述 | Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 4-Element, NPN and PNP, Silicon, TO-116, Plastic/Epoxy, 14 Pin, DIP-14 | Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 4-Element, NPN and PNP, Silicon, TO-116, Plastic/Epoxy, 14 Pin, DIP-14 |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Central Semiconductor | Central Semiconductor |
| 零件包装代码 | DIP | DIP |
| 包装说明 | IN-LINE, R-PDIP-T14 | IN-LINE, R-PDIP-T14 |
| 针数 | 14 | 14 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.5 A | 0.5 A |
| 基于收集器的最大容量 | 8 pF | 8 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 30 V | 30 V |
| 配置 | SEPARATE, 4 ELEMENTS | SEPARATE, 4 ELEMENTS |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 30 | 30 |
| JEDEC-95代码 | TO-116 | TO-116 |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T14 | R-PDIP-T14 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 |
| 元件数量 | 4 | 4 |
| 端子数量 | 14 | 14 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C | -65 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 |
| 极性/信道类型 | NPN AND PNP | NPN AND PNP |
| 功耗环境最大值 | 1.25 W | 1.25 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 1.25 W | 1.25 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 | 10 |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 200 MHz | 200 MHz |
| VCEsat-Max | 1.4 V | 1.4 V |
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