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IDT71028S12TY: 产品描述Standard SRAM, 256KX4, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28; 产品类别存储存储; 文件大小58KB，共7页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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IDT71028S12TY概述

Standard SRAM, 256KX4, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28

IDT71028S12TY规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	SOJ
包装说明	0.300 INCH, SOJ-28
针数	28
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	3A991.B.2.B
最长访问时间	12 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-J28
JESD-609代码	e0
长度	17.9324 mm
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	4
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	28
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX4
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ
封装等效代码	SOJ28,.34
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.556 mm
最大待机电流	0.01 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.155 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
宽度	7.5184 mm

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CMOS STATIC RAM

1 MEG (256K x 4-BIT)

IDT71028

Integrated Device Technology, Inc.

FEATURES:

• 256K x 4 advanced high-speed CMOS static RAM

• Equal access and cycle times

— Military: 15/17/20/25ns

— Commercial: 12/15/17ns

• One Chip Select plus one Output Enable pin

• Bidirectional data Inputs and outputs directly

TTL-compatible

• Low power consumption via chip deselect

• Available in 28-pin Ceramic DIP, Plastic DIP, 300 mil and

400 mil Plastic SOJ, and LCC packages

• Military product compliant to MIL-STD-883, Class B

DESCRIPTION:

The IDT71028 is a 1,024,576-bit high-speed static RAM

organized as 256K x 4. It is fabricated using IDT’s high-

perfomance, high-reliability CMOS technology. This state-of-

the-art technology, combined with innovative circuit design

techniques, provides a cost-effective solution for high-speed

memory needs.

The IDT71028 has an output enable pin which operates as

fast as 6ns, with address access times as fast as 12ns. All

bidirectional inputs and outputs of the IDT71028 are TTL-

compatible and operation is from a single 5V supply. Fully

static asynchronous circuitry is used, requiring no clocks or

refresh for operation.

The IDT71028 is packaged in 28-pin 400 mil Ceramic DIP,

28-pin 400 mil Plastic DIP, 28-pin 300 mil Plastic SOJ, 28-pin

400 mil Plastic SOJ, and 28-pin Leadless Chip Carrier pack-

ages.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

ADDRESS

DECODER

1,048,576-BIT

MEMORY

ARRAY

I/O

– I/O

I/O CONTROL

CONTROL

LOGIC

2966 drw 01

The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.

MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES

Integrated Device Technology, Inc.

MAY 1994

DSC-1014/3

8.1

IDT71028S12TY相似产品对比

	IDT71028S12TY	IDT71028S15P	IDT71028S12P	IDT71028S25LB	IDT71028S17TY	IDT71028S17LB	IDT71028S15LB	IDT71028S15TY	IDT71028S17P	IDT71028S20LB
描述	Standard SRAM, 256KX4, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28	Standard SRAM, 256KX4, 15ns, CMOS, PDIP28, 0.400 INCH, PLASTIC, DIP-28	Standard SRAM, 256KX4, 12ns, CMOS, PDIP28, 0.400 INCH, PLASTIC, DIP-28	Standard SRAM, 256KX4, 25ns, CMOS, CQCC28, 0.400 X 0.720 INCH, LCC-28	Standard SRAM, 256KX4, 17ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28	Standard SRAM, 256KX4, 17ns, CMOS, CQCC28, 0.400 X 0.720 INCH, LCC-28	Standard SRAM, 256KX4, 15ns, CMOS, CQCC28, 0.400 X 0.720 INCH, LCC-28	Standard SRAM, 256KX4, 15ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28	Standard SRAM, 256KX4, 17ns, CMOS, PDIP28, 0.400 INCH, PLASTIC, DIP-28	Standard SRAM, 256KX4, 20ns, CMOS, CQCC28, 0.400 X 0.720 INCH, LCC-28
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	SOJ	DIP	DIP	QLCC	SOJ	QLCC	QLCC	SOJ	DIP	QLCC
包装说明	0.300 INCH, SOJ-28	0.400 INCH, PLASTIC, DIP-28	0.400 INCH, PLASTIC, DIP-28	0.400 X 0.720 INCH, LCC-28	0.300 INCH, SOJ-28	0.400 X 0.720 INCH, LCC-28	0.400 X 0.720 INCH, LCC-28	0.300 INCH, SOJ-28	0.400 INCH, PLASTIC, DIP-28	0.400 X 0.720 INCH, LCC-28
针数	28	28	28	28	28	28	28	28	28	28
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A001.A.2.C	3A991.B.2.B	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A001.A.2.C
最长访问时间	12 ns	15 ns	12 ns	25 ns	17 ns	17 ns	15 ns	15 ns	17 ns	20 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-J28	R-PDIP-T28	R-PDIP-T28	S-CQCC-N28	R-PDSO-J28	S-CQCC-N28	S-CQCC-N28	R-PDSO-J28	R-PDIP-T28	S-CQCC-N28
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	17.9324 mm	35.56 mm	35.56 mm	11.4554 mm	17.9324 mm	11.4554 mm	11.4554 mm	17.9324 mm	35.56 mm	11.4554 mm
内存密度	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	4	4	4	4	4	4	4	4	4	4
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	28	28	28	28	28	28	28	28	28	28
字数	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	256000	256000	256000	256000	256000	256000	256000	256000	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	125 °C	70 °C	125 °C	125 °C	70 °C	70 °C	125 °C
组织	256KX4	256KX4	256KX4	256KX4	256KX4	256KX4	256KX4	256KX4	256KX4	256KX4
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
可输出	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	SOJ	DIP	DIP	QCCN	SOJ	QCCN	QCCN	SOJ	DIP	QCCN
封装等效代码	SOJ28,.34	DIP28,.4	DIP28,.4	LCC(UNSPEC)	SOJ28,.34	LCC(UNSPEC)	LCC(UNSPEC)	SOJ28,.34	DIP28,.4	LCC(UNSPEC)
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	SQUARE	RECTANGULAR	SQUARE	SQUARE	RECTANGULAR	RECTANGULAR	SQUARE
封装形式	SMALL OUTLINE	IN-LINE	IN-LINE	CHIP CARRIER	SMALL OUTLINE	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	SMALL OUTLINE	IN-LINE	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	3.556 mm	5.334 mm	5.334 mm	2.54 mm	3.556 mm	2.54 mm	2.54 mm	3.556 mm	5.334 mm	2.54 mm
最大待机电流	0.01 A	0.01 A	0.01 A	0.015 A	0.01 A	0.015 A	0.015 A	0.01 A	0.01 A	0.015 A
最小待机电流	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
最大压摆率	0.155 mA	0.15 mA	0.155 mA	0.14 mA	0.145 mA	0.165 mA	0.175 mA	0.15 mA	0.145 mA	0.155 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	NO	NO	YES	YES	YES	YES	YES	NO	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	MILITARY	COMMERCIAL	MILITARY	MILITARY	COMMERCIAL	COMMERCIAL	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	NO LEAD	J BEND	NO LEAD	NO LEAD	J BEND	THROUGH-HOLE	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	QUAD	DUAL	QUAD	QUAD	DUAL	DUAL	QUAD
宽度	7.5184 mm	10.16 mm	10.16 mm	11.4554 mm	7.5184 mm	11.4554 mm	11.4554 mm	7.5184 mm	10.16 mm	11.4554 mm

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