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IDT7202LA30TDGB

产品描述FIFO, 1KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, GREEN, CERAMIC, DIP-28
产品类别存储    存储   
文件大小119KB,共14页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准  
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IDT7202LA30TDGB概述

FIFO, 1KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, GREEN, CERAMIC, DIP-28

IDT7202LA30TDGB规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码DIP
包装说明DIP,
针数28
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间30 ns
其他特性RETRANSMIT
周期时间40 ns
JESD-30 代码R-GDIP-T28
JESD-609代码e3
长度37.1475 mm
内存密度9216 bit
内存宽度9
功能数量1
端子数量28
字数1024 words
字数代码1000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织1KX9
可输出NO
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883 Class B
座面最大高度5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层MATTE TIN
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度7.62 mm
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