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RHRD660S9A

产品描述6A, 600V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小197KB,共4页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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RHRD660S9A概述

6A, 600V, SILICON, RECTIFIER DIODE

RHRD660S9A规格参数

参数名称属性值
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码TO-252
包装说明R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性FREEWHEELING DIODE
应用HYPERFAST SOFT RECOVERY
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)2.1 V
JESD-30 代码R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流60 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流6 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大功率耗散50 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向电流100 µA
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE

RHRD660S9A相似产品对比

RHRD660S9A RHRD660S
描述 6A, 600V, SILICON, RECTIFIER DIODE 6A, 600V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252
Reach Compliance Code unknown not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 FREEWHEELING DIODE FREE WHEELING DIODE
应用 HYPERFAST SOFT RECOVERY HYPERFAST SOFT RECOVERY
外壳连接 CATHODE CATHODE
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 2.1 V 2.1 V
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流 60 A 60 A
元件数量 1 1
相数 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C
最大输出电流 6 A 6 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 600 V 600 V
最大反向恢复时间 0.035 µs 0.035 µs
表面贴装 YES YES
技术 AVALANCHE AVALANCHE
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE

 
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