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RHRD660S: 产品描述6A, 600V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小197KB，共4页; 制造商Renesas(瑞萨电子); 官网地址https://www.renesas.com/

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6A, 600V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252

	RHRD660S	RHRD660S9A
描述	6A, 600V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252	6A, 600V, SILICON, RECTIFIER DIODE
Reach Compliance Code	not_compliant	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
其他特性	FREE WHEELING DIODE	FREEWHEELING DIODE
应用	HYPERFAST SOFT RECOVERY	HYPERFAST SOFT RECOVERY
外壳连接	CATHODE	CATHODE
配置	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	2.1 V	2.1 V
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流	60 A	60 A
元件数量	1	1
相数	1	1
端子数量	2	2
最高工作温度	175 °C	175 °C
最大输出电流	6 A	6 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	600 V	600 V
最大反向恢复时间	0.035 µs	0.035 µs
表面贴装	YES	YES
技术	AVALANCHE	AVALANCHE
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ