2014-01-14
Silicon NPN Phototransistor
NPN-Silizium-Fototransistor
Version 1.1
SFH 314, SFH 314 FA
SFH 314
SFH 314 FA
Features:
•
Spectral range of sensitivity:
460 nm...1080 nm
(SFH 314), 740 nm... 1080 nm (SFH 314 FA)
•
Package:
5mm Radial (T 1 ¾), Epoxy
•
Special:
High linearity
•
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:
460 nm...1080 nm (SFH 314), 740 nm... 1080 nm
(SFH 314 FA)
•
Gehäuse:
5mm Radial (T 1 ¾), Harz
•
Besonderheit:
Hohe Linearität
Besondere Merkmale:
Applications
•
•
•
•
Computer-controlled flashes
Photointerrupters
Industrial electronics
For control and drive circuits
Anwendungen
•
•
•
•
Computer-Blitzlichtgeräte
Lichtschranken
Industrieelektronik
Messen / Steuern / Regeln
Ordering Information
Bestellinformation
Type:
Typ:
Photocurrent
Fotostrom
λ
= 950 nm, E
e
= 0.5 mW/cm
2
, V
CE
= 5 V
I
PCE
[µA]
SFH 314
SFH 314-2/3
SFH 314 FA
SFH 314 FA-2/3
Note:
Anm.:
Ordering Code
Bestellnummer
≥
630
1000 ... 3200
≥
630
1000 ... 3200
Q62702P1668
Q62702P3600
Q62702P1675
Q62702P3599
Only one bin within one packing unit (variation less than 2:1)
Nur eine Gruppe pro Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1)
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1
Version 1.1
Maximum Ratings
(T
A
= 25 °C)
Grenzwerte
Parameter
Bezeichnung
Operating and storage temperature range
Betriebs- und Lagertemperatur
Collector-emitter voltage
Kollektor-Emitter-Spannung
Collector current
Kollektorstrom
Collector surge current
Kollektorspitzenstrom
(τ < 10 µs)
Emitter-collector voltage
Emitter-Kollektor-Spannung
Total power dissipation
Verlustleistung
Thermal resistance
Wärmewiderstand
Characteristics
(T
A
= 25 °C)
Kennwerte
Parameter
Bezeichnung
Symbol
Symbol
Symbol
Symbol
T
op
; T
stg
V
CE
I
C
I
CS
SFH 314, SFH 314 FA
Values
Werte
SFH 314
SFH 314 FA
-40 ... 100
70
50
100
Unit
Einheit
°C
V
mA
mA
V
EC
P
tot
R
thJA
7
200
375
V
mW
K/W
Values
Werte
SFH
314
SFH
314 FA
870
740 ...
1080
Unit
Einheit
Wavelength of max. sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Spectral range of sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
Radiant sensitive area
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Dimensions of chip area
Abmessung der Chipfläche
Half angle
Halbwinkel
λ
S max
λ
10%
A
LxW
ϕ
850
460 ...
1080
nm
nm
mm
2
mm x
mm
°
0.55
1 x 1
± 40
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2
Version 1.1
Parameter
Bezeichnung
Symbol
Symbol
SFH 314, SFH 314 FA
Values
Werte
SFH
314
SFH
314 FA
10
pF
Unit
Einheit
Capacitance
Kapazität
(V
CE
= 5 V, f = 1 MHz, E = 0)
Dark current
Dunkelstrom
(V
CE
= 10 V, E = 0)
Rise and fall time
Anstiegs- und Abfallzeit
(I
C
= 1 mA, V
CC
= 5 V, R
L
= 1 kΩ)
C
CE
I
CE0
3 (≤ 200)
nA
t
r
, t
f
11
µs
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3
Version 1.1
Grouping
(T
A
= 25 °C,
λ
= 950 nm)
Gruppierung
Group
Gruppe
Min Photocurrent Max
Photocurrent
Min Fotostrom
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
I
PCE, min
[µA]
-1
-2
-3
-4
Group
Gruppe
630
1000
1600
2500
Max Fotostrom
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
I
PCE, max
[µA]
1250
2000
3200
SFH 314, SFH 314 FA
Typ Photocurrent Rise and fall time
Typ Fotostrom
Anstiegs- und
Abfallzeit
SFH 314:
I
C
= 1 mA,
E
V
= 1000 lx, Std. V
CC
= 5 V,
Light A, V
CE
= 5 V R
L
= 1 kΩ
I
PCE
[µA]
3400
5400
8600
13500
t
r
, t
f
[µs]
8
10
12
14
Collector-emitter saturation voltage
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
I
C
= I
PCEmin
x 0.3, E
e
= 0.5 mW/cm
2
V
CEsat
[mV]
-1
-2
-3
-4
150
150
150
150
Note.: I
PCEmin
is the min. photocurrent of the specified group.
Anm.:
I
PCEmin
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe.
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4
Version 1.1
Relative Spectral Sensitivity
Relative spektrale Empfindlichkeit
SFH 314
S
rel
= f(λ)
100
S
rel
%
80
70
60
50
40
30
20
10
0
400 500 600 700 800 900 nm 1100
λ
0
400
600
20
40
60
OHF02332
SFH 314, SFH 314 FA
Relative Spectral Sensitivity
Relative spektrale Empfindlichkeit
SFH 314 FA
S
rel
= f(λ)
100
S
rel
%
80
OHF02331
800
1000 nm 1200
λ
Photocurrent
Fotostrom
I
PCE
= f(V
CE
), E
e
= Parameter
Photocurrent
Fotostrom
I
PCE
= f(E
e
),
V
CE
= 5 V
10
1
mA
OHF02339
Ι
PCE
Ι
PCE
10
1
mA
OHF02338
1
mW
cm
2
0.5
mW
cm
2
mW
cm
2
10
0
0.25
10
-1
10
0
0.1
mW
cm
2
10
-2
10
-3 -3
10
10
-2
mW/cm
2
E
e
10
0
10
-1
0
10
20
30
40
50
V 70
V
CE
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5
无线连接
京公网安备 11010802033920号
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