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CMLDM7003TEG

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 0.28A I(D), 50V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, PICOMINI-6
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小113KB,共2页
制造商Central Semiconductor
标准  
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CMLDM7003TEG概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.28A I(D), 50V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, PICOMINI-6

CMLDM7003TEG规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数6
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压50 V
最大漏极电流 (ID)0.28 A
最大漏源导通电阻2.3 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)5 pF
JESD-30 代码R-PDSO-F6
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN (315)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

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CMLDM7003TEG
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT PICOmini
TM
DUAL N-CHANNEL
SILICON MOSFET
Central
TM
Semiconductor Corp.
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLDM7003TEG
is an Enhancement-mode N-Channel Field Effect
Transistor, manufactured by the N-Channel DMOS
Process, designed for high speed pulsed amplifier and
driver applications. These special Dual Transistor devices
offer low drain-source on state resistance (rDS(ON)) and
ESD protection up to 2kV, and a Gate-Source Threshold
Voltage (VGS(th)) of 0.75V MIN to 1.0V MAX.
MARKING CODE: TEG
ENHANCED SPECIFICATION: VGS(th) = 1.0V MAX
SOT-563 CASE
FEATURES:
ESD protection up to 2kV
Device is
Halogen Free
by design
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Drain-Source Voltage
Drain-Gate Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Maximum Pulsed Drain Current
Power Dissipation (Note 1)
Power Dissipation (Note 2)
Power Dissipation (Note 3)
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VDS
VDG
VGS
ID
IDM
PD
PD
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
50
50
12
280
1.5
350
300
150
-65 to +150
357
UNITS
V
V
V
mA
A
mW
mW
mW
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
IGSSF,
IGSSF,
IGSSR
IGSSR
VGS=5V
VGS=10V
VGS=12V
VDS=50V, VGS=0V
50
0.5
1.0
50
UNITS
nA
μA
μA
nA
IGSSF, IGSSR
IDSS
Notes: (1) Ceramic or aluminum core PC Board with copper mounting pad area of 4.0 mm
2
(2) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 4.0 mm
2
(3) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 1.4 mm
2
R0 (3-June 2008)

CMLDM7003TEG相似产品对比

CMLDM7003TEG CMLDM7003TEGTR
描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.28A I(D), 50V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, PICOMINI-6 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
是否Rohs认证 符合 不符合
厂商名称 Central Semiconductor Central Semiconductor
Reach Compliance Code compliant not_compliant
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e3 e0
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
表面贴装 YES YES
端子面层 MATTE TIN (315) Tin/Lead (Sn/Pb)
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