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K6R4016C1D-EC12

产品描述Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 7 X 9 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-48
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文件大小267KB,共12页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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K6R4016C1D-EC12概述

Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 7 X 9 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-48

K6R4016C1D-EC12规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码BGA
包装说明VFBGA,
针数48
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间12 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B48
JESD-609代码e0
长度9 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度16
功能数量1
端子数量48
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
座面最大高度1 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式BALL
端子节距0.75 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7 mm

K6R4016C1D-EC12相似产品对比

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描述 Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 7 X 9 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-48 Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 7 X 9 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-48 Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, SOJ-44 Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, SOJ-44 Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
零件包装代码 BGA BGA SOJ TSOP2 SOJ TSOP2
包装说明 VFBGA, VFBGA, SOJ, TSOP2, SOJ, TSOP2,
针数 48 48 44 44 44 44
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 12 ns 12 ns 12 ns 12 ns 12 ns 12 ns
JESD-30 代码 R-PBGA-B48 R-PBGA-B48 R-PDSO-J44 R-PDSO-G44 R-PDSO-J44 R-PDSO-G44
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 9 mm 9 mm 28.58 mm 18.41 mm 28.58 mm 18.41 mm
内存密度 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 16 16 16 16 16 16
功能数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 48 48 44 44 44 44
字数 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words
字数代码 256000 256000 256000 256000 256000 256000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 85 °C 85 °C 70 °C 70 °C 85 °C
组织 256KX16 256KX16 256KX16 256KX16 256KX16 256KX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 VFBGA VFBGA SOJ TSOP2 SOJ TSOP2
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1 mm 1 mm 3.76 mm 1.2 mm 3.76 mm 1.2 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 BALL BALL J BEND GULL WING J BEND GULL WING
端子节距 0.75 mm 0.75 mm 1.27 mm 0.8 mm 1.27 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 7 mm 7 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm
是否无铅 - - 含铅 含铅 含铅 含铅

 
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