K6R4016C1D-TC12,K6R4016C1D-TC12 pdf中文资料,K6R4016C1D-TC12引脚图,K6R4016C1D-TC12电路-Datasheet-电子工程世界

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K6R4016C1D-TC12: 产品描述Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44; 产品类别存储存储; 文件大小267KB，共12页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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K6R4016C1D-TC12概述

Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44

K6R4016C1D-TC12规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	TSOP2
包装说明	TSOP2,
针数	44
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	12 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-G44
JESD-609代码	e0
长度	18.41 mm
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	44
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	TIN LEAD
端子形式	GULL WING
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	10.16 mm

K6R4016C1D-TC12相似产品对比

	K6R4016C1D-TC12	K6R4016C1D-EI12	K6R4016C1D-JI12	K6R4016C1D-EC12	K6R4016C1D-JC12	K6R4016C1D-TI12
描述	Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44	Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 7 X 9 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-48	Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, SOJ-44	Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 7 X 9 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-48	Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, SOJ-44	Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	TSOP2	BGA	SOJ	BGA	SOJ	TSOP2
包装说明	TSOP2,	VFBGA,	SOJ,	VFBGA,	SOJ,	TSOP2,
针数	44	48	44	48	44	44
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	12 ns	12 ns	12 ns	12 ns	12 ns	12 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-G44	R-PBGA-B48	R-PDSO-J44	R-PBGA-B48	R-PDSO-J44	R-PDSO-G44
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	18.41 mm	9 mm	28.58 mm	9 mm	28.58 mm	18.41 mm
内存密度	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	16	16	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	44	48	44	48	44	44
字数	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	256000	256000	256000	256000	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	85 °C	85 °C	70 °C	70 °C	85 °C
组织	256KX16	256KX16	256KX16	256KX16	256KX16	256KX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2	VFBGA	SOJ	VFBGA	SOJ	TSOP2
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	SMALL OUTLINE	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1 mm	3.76 mm	1 mm	3.76 mm	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	GULL WING	BALL	J BEND	BALL	J BEND	GULL WING
端子节距	0.8 mm	0.75 mm	1.27 mm	0.75 mm	1.27 mm	0.8 mm
端子位置	DUAL	BOTTOM	DUAL	BOTTOM	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	10.16 mm	7 mm	10.16 mm	7 mm	10.16 mm	10.16 mm
是否无铅	含铅	-	含铅	-	含铅	含铅

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