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BZX84B3V9/GS08

产品描述Zener Diode, 3.9V V(Z), 2%, 0.3W,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小401KB,共10页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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BZX84B3V9/GS08概述

Zener Diode, 3.9V V(Z), 2%, 0.3W,

BZX84B3V9/GS08规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗90 Ω
JESD-609代码e3
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大功率耗散0.3 W
标称参考电压3.9 V
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
最大电压容差2%
工作测试电流5 mA

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VISHAY
BZX84-Series
Vishay Semiconductors
Zener Diodes
Features
• These diodes are also available in other case
styles and other configurations including: the
SOD-123 case with type designation BZT52
series, the dual zener diode common anode con-
figuration in the SOT-23 case with type designa-
tion AZ23
series and the dual zener diode common cathode
configuration in the SOT-23 case with type desig-
nation DZ23 series.
3
1
2
18078
• The Zener voltages are graded according to the
international E 24 standard. Standard Zener volt-
age tolerance is ± 5 %. Replace "C" with "B" for
± 2 % tolerance.
• Silicon Planar Power Zener Diodes
Mechanical Data
Case:
SOT-23 Plastic Package
Weight:
approx. 8.8 mg
Packaging Codes/Options:
GS18 / 10 k per 13" reel (8 mm tape), 10 k/box
GS08 / 3 k per 7" reel (8 mm tape), 15 k/box
Absolute Maximum Ratings
T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Power dissipation
1)
Test condition
Symbol
P
tot
Value
300
1)
Unit
mW
Device on fiberglass substrate, see layout.
Thermal Characteristics
T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Thermal resistance junction to ambient air
Junction temperature
Storage temperature range
1)
Test condition
Symbol
R
thJA
T
j
T
S
Value
420
1)
150
- 65 to + 150
Unit
°C/W
°C
°C
Device on fiberglass substrate, see layout.
Document Number 85763
Rev. 1.5, 19-Apr-04
www.vishay.com
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