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PMBFJ112TRL

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小145KB,共4页
制造商YAGEO(国巨)
官网地址http://www.yageo.com/
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PMBFJ112TRL概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET

PMBFJ112TRL规格参数

参数名称属性值
厂商名称YAGEO(国巨)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
最小漏源击穿电压40 V
最大漏源导通电阻50 Ω
FET 技术JUNCTION
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
工作模式DEPLETION MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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