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GBU6J

产品描述6 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小173KB,共3页
制造商MCC
官网地址http://www.mccsemi.com
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GBU6J概述

6 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

6 A, 600 V, 硅, 桥式整流二极管

GBU6J规格参数

参数名称属性值
端子数量4
元件数量4
最小击穿电压600 V
最大平均输入电流6 A
加工封装描述塑料, GBU, 4 PIN
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状矩形的
包装尺寸凸缘安装
端子形式线
端子涂层MATTE 锡
端子位置单一的
包装材料塑料/环氧树脂
结构桥, 4 ELEMENTS
壳体连接隔离
二极管元件材料
最大功耗极限12 W
二极管类型桥式整流二极管
相数1
最大重复峰值反向电压600 V
最大非重复峰值正向电流175 A

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MCC
Micro Commercial Components
TM
  omponents
20736
Marilla
Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
GBU6A
TH
RU
GBU6M
6 Amp Single Phase
Glass Passivated
Bridge Rectifier
50 to 1000 Volts
GBU
Features
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability
Classification Rating 94V-0
and MSL Rating 1
Glass Passivated Chip Junction
High Surge Overload Rating
Lead Free Finish/RoHS Compliant (NOTE 1)("P" Suffix
designates RoHS Compliant. See ordering information)
Maximum Ratings
-55°C to +150°C
Operating Temperature:
Storage Temperature: -55°C to +150°C
Typical Thermal Resistance
2.2°C/W
Junction to Case
UL Recognized File # E165989
Maximum
Maximum
MCC
Device
Recurrent
Maximum
DC
Part Number Marking
Peak
RMS
Blocking
Reverse
Voltage
Voltage
Voltage
GBU6A
GBU6A
50V
35V
50V
GBU6B
GBU6B
100V
70V
100V
GBU6D
GBU6D
200V
140V
200V
GBU6G
GBU6G
400V
280V
400V
GBU6J
GBU6J
600V
420V
600V
GBU6K
GBU6K
800V
560V
800V
GBU6M
GBU6M
1000V
700V
1000V
Case Style
A
G
H
1.90 RADIUS
3.2x45
C
N
N
I B
J
+
N
D
E
N
-
K
L
~
~
M
F
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
Current
Peak Forward Surge
Current
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
I t Rating for fusing
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
Typical Junction
Capacitance
Notes:
2
DIMENSIONS
INCHES
MIN
.860
.720
.130
.690
.030
.018
.290
.140
.065
.089
.077
.040
.190
MM
MIN
21.80
18.30
3.30
17.50
0.76
0.46
7.40
3.50
I
F(AV)
I
FSM
V
F
It
I
R
C
J
2
6A
175A
Tc = 100°C
8.3ms, half sine
I
FM
=3A
T
J
= 25°C
1.0V
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
MAX
.880
.740
.140
.710
.039
.022
.310
.160
MAX
22.30
18.80
3.56
18.00
1.00
0.56
7.90
4.10
2.16
2.75
2.35
1.27
5.33
NOTE
127A
2
S (t<8.3ms)
5
µA
500uA
50pF
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
Measured at
1.0MHz, V
R
=4.0V
.085
1.65
.108
2.25
.093
1.95
.050
1.02
.210
4.83
7.0 TYPICAL
1.
High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex Notes 7
www.mccsemi.com
Revision:
6
1 of 3
2008/03/24

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