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GBU6G-BP

产品描述6 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小173KB,共3页
制造商MCC
官网地址http://www.mccsemi.com
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GBU6G-BP概述

6 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

6 A, 100 V, 硅, 桥式整流二极管

GBU6G-BP规格参数

参数名称属性值
最小击穿电压100 V
元件数量4
端子数量4
加工封装描述ROHS COMPLIANT, PLASTIC, GBU, 4 PIN
each_compliYes
欧盟RoHS规范Yes
状态Active
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
结构BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
jesd_30_codeR-PSFM-T4
jesd_609_codee3
moisture_sensitivity_level1
最大非重复峰值正向电流175 A
相数1
最大输出电流6 A
包装材料PLASTIC/EPOXY
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸FLANGE MOUNT
eak_reflow_temperature__cel_NOT SPECIFIED
qualification_statusCOMMERCIAL
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装NO
端子涂层MATTE TIN
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
ime_peak_reflow_temperature_max__s_NOT SPECIFIED
dditional_featureUL RECOGNIZED

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MCC
Micro Commercial Components
TM
  omponents
20736
Marilla
Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
GBU6A
TH
RU
GBU6M
6 Amp Single Phase
Glass Passivated
Bridge Rectifier
50 to 1000 Volts
GBU
Features
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability
Classification Rating 94V-0
and MSL Rating 1
Glass Passivated Chip Junction
High Surge Overload Rating
Lead Free Finish/RoHS Compliant (NOTE 1)("P" Suffix
designates RoHS Compliant. See ordering information)
Maximum Ratings
-55°C to +150°C
Operating Temperature:
Storage Temperature: -55°C to +150°C
Typical Thermal Resistance
2.2°C/W
Junction to Case
UL Recognized File # E165989
Maximum
Maximum
MCC
Device
Recurrent
Maximum
DC
Part Number Marking
Peak
RMS
Blocking
Reverse
Voltage
Voltage
Voltage
GBU6A
GBU6A
50V
35V
50V
GBU6B
GBU6B
100V
70V
100V
GBU6D
GBU6D
200V
140V
200V
GBU6G
GBU6G
400V
280V
400V
GBU6J
GBU6J
600V
420V
600V
GBU6K
GBU6K
800V
560V
800V
GBU6M
GBU6M
1000V
700V
1000V
Case Style
A
G
H
1.90 RADIUS
3.2x45
C
N
N
I B
J
+
N
D
E
N
-
K
L
~
~
M
F
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
Current
Peak Forward Surge
Current
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
I t Rating for fusing
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
Typical Junction
Capacitance
Notes:
2
DIMENSIONS
INCHES
MIN
.860
.720
.130
.690
.030
.018
.290
.140
.065
.089
.077
.040
.190
MM
MIN
21.80
18.30
3.30
17.50
0.76
0.46
7.40
3.50
I
F(AV)
I
FSM
V
F
It
I
R
C
J
2
6A
175A
Tc = 100°C
8.3ms, half sine
I
FM
=3A
T
J
= 25°C
1.0V
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
MAX
.880
.740
.140
.710
.039
.022
.310
.160
MAX
22.30
18.80
3.56
18.00
1.00
0.56
7.90
4.10
2.16
2.75
2.35
1.27
5.33
NOTE
127A
2
S (t<8.3ms)
5
µA
500uA
50pF
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
Measured at
1.0MHz, V
R
=4.0V
.085
1.65
.108
2.25
.093
1.95
.050
1.02
.210
4.83
7.0 TYPICAL
1.
High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex Notes 7
www.mccsemi.com
Revision:
6
1 of 3
2008/03/24

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