Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 125V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | TT Electronics plc |
包装说明 | TO-3, 2 PIN |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | HIGH RELIABILITY |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 50 A |
集电极-发射极最大电压 | 125 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 10 |
JEDEC-95代码 | TO-3 |
JESD-30 代码 | O-MBFM-P2 |
JESD-609代码 | e1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 200 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | NPN |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | TIN SILVER COPPER |
端子形式 | PIN/PEG |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 8 MHz |
BUV20R1 | BUV20 | BUV20.MODR1 | BUV20.MOD | |
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描述 | Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 125V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN | npn multi - epitaxial power transistor | Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 125V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN | Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 125V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN |
是否Rohs认证 | 符合 | 不符合 | 符合 | 不符合 |
厂商名称 | TT Electronics plc | TT Electronics plc | TT Electronics plc | TT Electronics plc |
包装说明 | TO-3, 2 PIN | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | TO-3, 2 PIN | TO-3, 2 PIN |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
其他特性 | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY |
外壳连接 | COLLECTOR | COLLECTOR | COLLECTOR | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 50 A | 50 A | 50 A | 50 A |
集电极-发射极最大电压 | 125 V | 125 V | 125 V | 125 V |
配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 10 | 10 | 10 | 10 |
JEDEC-95代码 | TO-3 | TO-3 | TO-3 | TO-3 |
JESD-30 代码 | O-MBFM-P2 | O-MBFM-P2 | O-MBFM-P2 | O-MBFM-P2 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 2 | 2 | 2 |
最高工作温度 | 200 °C | 200 °C | 200 °C | 200 °C |
封装主体材料 | METAL | METAL | METAL | METAL |
封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | NPN | NPN | NPN | NPN |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
端子形式 | PIN/PEG | PIN/PEG | PIN/PEG | PIN/PEG |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 8 MHz | 8 MHz | 8 MHz | 8 MHz |
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