25LC080/PA61概述

1K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8

25LC080/PA61规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	DIP
包装说明	0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8
针数	8
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
其他特性	DATA RETENTION > 200 YEARS; 4KV ESD PROTECTION; 1M ENDURANCE CYCLES
最大时钟频率 (fCLK)	2 MHz
数据保留时间-最小值	200
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PDIP-T8
JESD-609代码	e3
内存密度	8192 bi
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	8
字数	1024 words
字数代码	1000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
串行总线类型	SPI
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
最长写入周期时间 (tWC)	5 ms
Base Number Matches	1

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25LC080/PA61相似产品对比

	25LC080/PA61	25C080/SNC63	25C080P	25C080/PC61	25C080T/SNC63	25AA080/SNB63	25AA080T/SNB63	25LC080/SNA63	25LC080T/SNA63	25AA080/PB61
描述	1K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8	1K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8	1K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8	1K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8	1K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8	1K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8	1K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8	1K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8	1K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8	1K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
零件包装代码	DIP	SOIC	DIP	DIP	SOIC	SOIC	SOIC	SOIC	SOIC	DIP
包装说明	0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8	0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8	DIP, DIP8,.3	0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8	SOP,	SOP,	SOP,	0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8	SOP,	0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8
针数	8	8	8	8	8	8	8	8	8	8
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最大时钟频率 (fCLK)	2 MHz	3 MHz	3 MHz	3 MHz	3 MHz	1 MHz	1 MHz	2 MHz	2 MHz	1 MHz
JESD-30 代码	R-PDIP-T8	R-PDSO-G8	R-PDIP-T8	R-PDIP-T8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDIP-T8
JESD-609代码	e3	e3	e3	e3	e3	e3	e3	e3	e3	e3
内存密度	8192 bi	8192 bi	8192 bi	8192 bi	8192 bi	8192 bi	8192 bi	8192 bi	8192 bi	8192 bi
内存集成电路类型	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	8	8	8	8	8	8	8	8	8	8
字数	1024 words	1024 words	1024 words	1024 words	1024 words	1024 words	1024 words	1024 words	1024 words	1024 words
字数代码	1000	1000	1000	1000	1000	1000	1000	1000	1000	1000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	1KX8	1KX8	1KX8	1KX8	1KX8	1KX8	1KX8	1KX8	1KX8	1KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	SOP	DIP	DIP	SOP	SOP	SOP	SOP	SOP	DIP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE
并行/串行	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	260	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	260	260	260	260	260	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
串行总线类型	SPI	SPI	SPI	SPI	SPI	SPI	SPI	SPI	SPI	SPI
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	2.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	1.8 V	1.8 V	2.5 V	2.5 V	1.8 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	5 V	5 V	5 V	5 V	2.5 V	2.5 V	3.3 V	3.3 V	2.5 V
表面贴装	NO	YES	NO	NO	YES	YES	YES	YES	YES	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
端子形式	THROUGH-HOLE	GULL WING	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	40	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	40	40	40	40	40	NOT SPECIFIED
最长写入周期时间 (tWC)	5 ms	5 ms	5 ms	5 ms	5 ms	5 ms	5 ms	5 ms	5 ms	5 ms
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
其他特性	DATA RETENTION > 200 YEARS; 4KV ESD PROTECTION; 1M ENDURANCE CYCLES	DATA RETENTION > 200 YEARS; 4KV ESD PROTECTION; 1M ENDURANCE CYCLES	DATA RETENTION > 200 YEARS; 4KV ESD PROTECTION; 1M ENDURANCE CYCLES	-	DATA RETENTION > 200 YEARS; 4KV ESD PROTECTION; 1M ENDURANCE CYCLES	DATA RETENTION > 200 YEARS; 4KV ESD PROTECTION; 1M ENDURANCE CYCLES	DATA RETENTION > 200 YEARS; 4KV ESD PROTECTION; 1M ENDURANCE CYCLES	DATA RETENTION > 200 YEARS; 4KV ESD PROTECTION; 1M ENDURANCE CYCLES	DATA RETENTION > 200 YEARS; 4KV ESD PROTECTION; 1M ENDURANCE CYCLES	DATA RETENTION > 200 YEARS; 4KV ESD PROTECTION; 1M ENDURANCE CYCLES
数据保留时间-最小值	200	200	200	-	200	200	200	200	200	200
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	10000000 Write/Erase Cycles	-	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles
湿度敏感等级	-	1	-	-	1	1	1	1	1	-

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