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MWT-470GN

产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小196KB,共4页
制造商Microwave_Technology_Inc.
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MWT-470GN概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET

MWT-470GN规格参数

参数名称属性值
厂商名称Microwave_Technology_Inc.
包装说明MICROWAVE, S-CQMW-F4
Reach Compliance Codeunknown
其他特性LOW NOISE
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压6 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.105 A
FET 技术METAL SEMICONDUCTOR
最高频带K BAND
JESD-30 代码S-CQMW-F4
元件数量1
端子数量4
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状SQUARE
封装形式MICROWAVE
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值0.27 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置QUAD
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE

MWT-470GN相似产品对比

MWT-470GN MWT-473SN MWT-473GN MWT-4SN MWT-4GN
描述 RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET TRANSISTOR K BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET, FET RF Small Signal TRANSISTOR K BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET, FET RF Small Signal
包装说明 MICROWAVE, S-CQMW-F4 MICROWAVE, X-CXMW-F4 MICROWAVE, X-CXMW-F4 UNCASED CHIP, R-XUUC-N4 UNCASED CHIP, R-XUUC-N4
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
其他特性 LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 6 V 6 V 6 V 6 V 6 V
FET 技术 METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR
最高频带 K BAND K BAND K BAND K BAND K BAND
JESD-30 代码 S-CQMW-F4 X-CXMW-F4 X-CXMW-F4 R-XUUC-N4 R-XUUC-N4
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 4 4 4 4 4
工作模式 DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 SQUARE UNSPECIFIED UNSPECIFIED RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROWAVE MICROWAVE MICROWAVE UNCASED CHIP UNCASED CHIP
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES
端子形式 FLAT FLAT FLAT NO LEAD NO LEAD
端子位置 QUAD UNSPECIFIED UNSPECIFIED UPPER UPPER
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE
厂商名称 Microwave_Technology_Inc. Microwave_Technology_Inc. - - Microwave_Technology_Inc.
外壳连接 SOURCE SOURCE SOURCE - -
最高工作温度 175 °C 175 °C - 150 °C 150 °C
Base Number Matches - 1 1 1 -
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