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1N4003E

产品描述1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小79KB,共2页
制造商Gulf Semiconductor
官网地址http://www.gulfsemi.com/
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1N4003E概述

1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL

1N4003E规格参数

参数名称属性值
厂商名称Gulf Semiconductor
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-50 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压200 V
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

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1N4001E THRU 1N4007E
GENERAL PURPOSE
PLASTIC RECTIFIER
VOLTAGE:50 TO 1000V
CURRENT: 1.0A
FEATURE
Molded case feature for auto insertion
High current capability
Low leakage current
High surge capability
High temperature soldering guaranteed
250°C/10sec/0.375”lead length at 5 lbs tension
A-405
MECHANICAL DATA
Terminal:Plated axial leads solderable per
MIL-STD 202E, method 208C
Case:Molded with UL-94 Class V-0 recognized Flame
Retardant Epoxy
Polarity:color band denotes cathode
Mounting position:any
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(single-phase, half -wave, 60HZ, resistive or inductive load rating at 25°C, unless otherwise stated,
for capacitive load, derate current by 20%)
SYMBOL
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified
Current 3/8”lead length at Ta =75°C
Peak Forward Surge Current 8.3ms single
Half sine-wave superimposed on rated load
Maximum Instantaneous Forward Voltage at
rated forward current
Maximum full load reverse current
full cycle at T
L
=75°C
Maximum DC Reverse Current
at rated DC blocking voltage
Typical Junction Capacitance
Typical Thermal Resistance
Ta =25°C
Ta =100°C
(Note 1)
(Note 2)
Vrrm
Vrms
Vdc
If(av)
Ifsm
Vf
Ir(av)
Ir
Cj
R(ja)
Tstg
1N4
001E
50
35
50
1N4
002E
100
70
100
1N4
003E
200
140
200
1N4
004E
400
280
400
1.0
30.0
1.1
30.0
1N4
005E
600
420
600
1N4
006E
800
560
800
1N4
007E
1000
700
1000
units
V
V
V
A
A
V
µA
µA
µA
pF
°C/W
°C
Storage and Operation Junction Temperature
5.0
50.0
15.0
50.0
-50 to +150
Note:
1. Measured at 1.0 MHz and applied voltage of 4.0Vdc
2. Thermal Resistance from Junction to Ambient at 0.375”lead length, P.C. Board Mounted
1
Rev.A6
www.gulfsemi.com

1N4003E相似产品对比

1N4003E 1N4002E 1N4005E
描述 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL
厂商名称 Gulf Semiconductor Gulf Semiconductor Gulf Semiconductor
包装说明 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -50 °C -50 °C -50 °C
最大输出电流 1 A 1 A 1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM
最大重复峰值反向电压 200 V 100 V 600 V
表面贴装 NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL
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