2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128Kx16 bit
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | LFBGA, BGA48,6X8,30 |
针数 | 48 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
最长访问时间 | 85 ns |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B48 |
长度 | 8 mm |
内存密度 | 2097152 bi |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 16 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 48 |
字数 | 131072 words |
字数代码 | 128000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 128KX16 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | LFBGA |
封装等效代码 | BGA48,6X8,30 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行 | PARALLEL |
电源 | 1.8/2 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.34 mm |
最大待机电流 | 0.000005 A |
最小待机电流 | 1.2 V |
最大压摆率 | 0.017 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 2.2 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.65 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.75 mm |
端子位置 | BOTTOM |
宽度 | 6 mm |
N02L6181AB28IT | N02L6181A | N02L6181AB27IT | N02L6181AB7I | N02L6181AB7IT | N02L6181AB8I | N02L6181AB8IT | |
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描述 | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128Kx16 bit | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128Kx16 bit | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128Kx16 bit | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128Kx16 bit | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128Kx16 bit | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128Kx16 bit | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128Kx16 bit |
是否Rohs认证 | 符合 | - | 符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) | - | ON Semiconductor(安森美) | ON Semiconductor(安森美) | ON Semiconductor(安森美) | ON Semiconductor(安森美) | ON Semiconductor(安森美) |
零件包装代码 | BGA | - | BGA | BGA | BGA | BGA | BGA |
包装说明 | LFBGA, BGA48,6X8,30 | - | 6 X 8 MM, GREEN, BGA-48 | 6 X 8 MM, BGA-48 | 6 X 8 MM, BGA-48 | 6 X 8 MM, BGA-48 | 6 X 8 MM, BGA-48 |
针数 | 48 | - | 48 | 48 | 48 | 48 | 48 |
Reach Compliance Code | compli | - | compli | compli | compli | compli | compli |
ECCN代码 | 3A991.B.2.A | - | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A |
最长访问时间 | 85 ns | - | 70 ns | 70 ns | 70 ns | 85 ns | 85 ns |
I/O 类型 | COMMON | - | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B48 | - | R-PBGA-B48 | R-PBGA-B48 | R-PBGA-B48 | R-PBGA-B48 | R-PBGA-B48 |
长度 | 8 mm | - | 8 mm | 8 mm | 8 mm | 8 mm | 8 mm |
内存密度 | 2097152 bi | - | 2097152 bi | 2097152 bi | 2097152 bi | 2097152 bi | 2097152 bi |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | - | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 16 | - | 16 | 16 | 16 | 16 | 16 |
功能数量 | 1 | - | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 48 | - | 48 | 48 | 48 | 48 | 48 |
字数 | 131072 words | - | 131072 words | 131072 words | 131072 words | 131072 words | 131072 words |
字数代码 | 128000 | - | 128000 | 128000 | 128000 | 128000 | 128000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | - | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C | - | 85 °C | 85 °C | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C | - | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
组织 | 128KX16 | - | 128KX16 | 128KX16 | 128KX16 | 128KX16 | 128KX16 |
输出特性 | 3-STATE | - | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | LFBGA | - | LFBGA | LFBGA | LFBGA | LFBGA | LFBGA |
封装等效代码 | BGA48,6X8,30 | - | BGA48,6X8,30 | BGA48,6X8,30 | BGA48,6X8,30 | BGA48,6X8,30 | BGA48,6X8,30 |
封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH | - | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行 | PARALLEL | - | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
电源 | 1.8/2 V | - | 1.8/2 V | 1.8/2 V | 1.8/2 V | 1.8/2 V | 1.8/2 V |
认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.34 mm | - | 1.34 mm | 1.34 mm | 1.34 mm | 1.34 mm | 1.34 mm |
最大待机电流 | 0.000005 A | - | 0.000005 A | 0.000005 A | 0.000005 A | 0.000005 A | 0.000005 A |
最小待机电流 | 1.2 V | - | 1.2 V | 1.2 V | 1.2 V | 1.2 V | 1.2 V |
最大压摆率 | 0.017 mA | - | 0.017 mA | 0.017 mA | 0.017 mA | 0.017 mA | 0.017 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 2.2 V | - | 2.2 V | 2.2 V | 2.2 V | 2.2 V | 2.2 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.65 V | - | 1.65 V | 1.65 V | 1.65 V | 1.65 V | 1.65 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V | - | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V |
表面贴装 | YES | - | YES | YES | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | - | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | - | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
端子形式 | BALL | - | BALL | BALL | BALL | BALL | BALL |
端子节距 | 0.75 mm | - | 0.75 mm | 0.75 mm | 0.75 mm | 0.75 mm | 0.75 mm |
端子位置 | BOTTOM | - | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
宽度 | 6 mm | - | 6 mm | 6 mm | 6 mm | 6 mm | 6 mm |
是否无铅 | - | - | - | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
湿度敏感等级 | - | - | - | 1 | 1 | 1 | 1 |
峰值回流温度(摄氏度) | - | - | - | 225 | 225 | 225 | 225 |
处于峰值回流温度下的最长时间 | - | - | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
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