N02L6181A,N02L6181A pdf中文资料,N02L6181A引脚图,N02L6181A电路-Datasheet-电子工程世界

N02L6181A: 产品描述2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128Kx16 bit; 文件大小205KB，共11页; 制造商ON Semiconductor(安森美); 官网地址http://www.onsemi.cn

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N02L6181A概述

2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128Kx16 bit

N02L6181A相似产品对比

	N02L6181A	N02L6181AB27IT	N02L6181AB7I	N02L6181AB28IT	N02L6181AB7IT	N02L6181AB8I	N02L6181AB8IT
描述	2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128Kx16 bit	2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128Kx16 bit	2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128Kx16 bit	2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128Kx16 bit	2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128Kx16 bit	2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128Kx16 bit	2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128Kx16 bit
是否Rohs认证	-	符合	不符合	符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	-	ON Semiconductor(安森美)	ON Semiconductor(安森美)	ON Semiconductor(安森美)	ON Semiconductor(安森美)	ON Semiconductor(安森美)	ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码	-	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	-	6 X 8 MM, GREEN, BGA-48	6 X 8 MM, BGA-48	LFBGA, BGA48,6X8,30	6 X 8 MM, BGA-48	6 X 8 MM, BGA-48	6 X 8 MM, BGA-48
针数	-	48	48	48	48	48	48
Reach Compliance Code	-	compli	compli	compli	compli	compli	compli
ECCN代码	-	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	-	70 ns	70 ns	85 ns	70 ns	85 ns	85 ns
I/O 类型	-	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	-	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48
长度	-	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm
内存密度	-	2097152 bi	2097152 bi	2097152 bi	2097152 bi	2097152 bi	2097152 bi
内存集成电路类型	-	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	-	16	16	16	16	16	16
功能数量	-	1	1	1	1	1	1
端子数量	-	48	48	48	48	48	48
字数	-	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	-	128000	128000	128000	128000	128000	128000
工作模式	-	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	-	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	-	128KX16	128KX16	128KX16	128KX16	128KX16	128KX16
输出特性	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	-	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA
封装等效代码	-	BGA48,6X8,30	BGA48,6X8,30	BGA48,6X8,30	BGA48,6X8,30	BGA48,6X8,30	BGA48,6X8,30
封装形状	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	-	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	-	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	-	1.8/2 V	1.8/2 V	1.8/2 V	1.8/2 V	1.8/2 V	1.8/2 V
认证状态	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	-	1.34 mm	1.34 mm	1.34 mm	1.34 mm	1.34 mm	1.34 mm
最大待机电流	-	0.000005 A	0.000005 A	0.000005 A	0.000005 A	0.000005 A	0.000005 A
最小待机电流	-	1.2 V	1.2 V	1.2 V	1.2 V	1.2 V	1.2 V
最大压摆率	-	0.017 mA	0.017 mA	0.017 mA	0.017 mA	0.017 mA	0.017 mA
最大供电电压 (Vsup)	-	2.2 V	2.2 V	2.2 V	2.2 V	2.2 V	2.2 V
最小供电电压 (Vsup)	-	1.65 V	1.65 V	1.65 V	1.65 V	1.65 V	1.65 V
标称供电电压 (Vsup)	-	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	-	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	-	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	-	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	-	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	-	0.75 mm	0.75 mm	0.75 mm	0.75 mm	0.75 mm	0.75 mm
端子位置	-	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
宽度	-	6 mm	6 mm	6 mm	6 mm	6 mm	6 mm
是否无铅	-	-	含铅	-	含铅	含铅	含铅
湿度敏感等级	-	-	1	-	1	1	1
峰值回流温度（摄氏度）	-	-	225	-	225	225	225
处于峰值回流温度下的最长时间	-	-	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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