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K4T1G044QQ-HLD60

产品描述DDR DRAM, 256MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
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文件大小890KB,共44页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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K4T1G044QQ-HLD60概述

DDR DRAM, 256MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60

K4T1G044QQ-HLD60规格参数

参数名称属性值
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA,
针数60
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间0.45 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PBGA-B60
长度11 mm
内存密度1073741824 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量60
字数268435456 words
字数代码256000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度95 °C
最低工作温度
组织256MX4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
宽度9 mm

K4T1G044QQ-HLD60相似产品对比

K4T1G044QQ-HLD60 K4T1G164QQ-HCD60 K4T1G164QQ-HLD60 K4T1G084QQ-HCD60 K4T1G044QQ-HCD60 K4T1G084QQ-HLD60
描述 DDR DRAM, 256MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 DDR DRAM, 64MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84 DDR DRAM, 64MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84 DDR DRAM, 128MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 DDR DRAM, 256MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 DDR DRAM, 128MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA
包装说明 TFBGA, TFBGA, TFBGA, TFBGA, TFBGA, TFBGA,
针数 60 84 84 60 60 60
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-PBGA-B60 R-PBGA-B84 R-PBGA-B84 R-PBGA-B60 R-PBGA-B60 R-PBGA-B60
长度 11 mm 13 mm 13 mm 11 mm 11 mm 11 mm
内存密度 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bi
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 4 16 16 8 4 8
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 60 84 84 60 60 60
字数 268435456 words 67108864 words 67108864 words 134217728 words 268435456 words 134217728 words
字数代码 256000000 64000000 64000000 128000000 256000000 128000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 95 °C 95 °C 95 °C 95 °C 95 °C 95 °C
组织 256MX4 64MX16 64MX16 128MX8 256MX4 128MX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
自我刷新 YES YES YES YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
宽度 9 mm 9 mm 9 mm 9 mm 9 mm 9 mm
厂商名称 SAMSUNG(三星) - SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)

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