K4T1G164QQ-HLD60,K4T1G164QQ-HLD60 pdf中文资料,K4T1G164QQ-HLD60引脚图,K4T1G164QQ-HLD60电路-Datasheet-电子工程世界

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K4T1G164QQ-HLD60: 产品描述DDR DRAM, 64MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84; 产品类别存储存储; 文件大小890KB，共44页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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K4T1G164QQ-HLD60概述

DDR DRAM, 64MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84

K4T1G164QQ-HLD60规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA,
针数	84
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.45 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PBGA-B84
长度	13 mm
内存密度	1073741824 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	84
字数	67108864 words
字数代码	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	95 °C
最低工作温度
组织	64MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	9 mm

K4T1G164QQ-HLD60相似产品对比

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描述	DDR DRAM, 64MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84	DDR DRAM, 64MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84	DDR DRAM, 256MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60	DDR DRAM, 128MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60	DDR DRAM, 256MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60	DDR DRAM, 128MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	TFBGA,	TFBGA,	TFBGA,	TFBGA,	TFBGA,	TFBGA,
针数	84	84	60	60	60	60
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.45 ns	0.45 ns	0.45 ns	0.45 ns	0.45 ns	0.45 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PBGA-B84	R-PBGA-B84	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60
长度	13 mm	13 mm	11 mm	11 mm	11 mm	11 mm
内存密度	1073741824 bit	1073741824 bit	1073741824 bit	1073741824 bit	1073741824 bit	1073741824 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	16	16	4	8	4	8
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	84	84	60	60	60	60
字数	67108864 words	67108864 words	268435456 words	134217728 words	268435456 words	134217728 words
字数代码	64000000	64000000	256000000	128000000	256000000	128000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	95 °C	95 °C	95 °C	95 °C	95 °C	95 °C
组织	64MX16	64MX16	256MX4	128MX8	256MX4	128MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
宽度	9 mm	9 mm	9 mm	9 mm	9 mm	9 mm
厂商名称	SAMSUNG(三星)	-	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)

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