NE64535-T2概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN

NE64535-T2规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	California Eastern Labs
包装说明	DISK BUTTON, O-CRDB-F4
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
其他特性	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)	0.065 A
基于收集器的最大容量	0.6 pF
集电极-发射极最大电压	12 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	50
最高频带	L BAND
JESD-30 代码	O-CRDB-F4
元件数量	1
端子数量	4
最高工作温度	200 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	ROUND
封装形式	DISK BUTTON
极性/信道类型	NPN
最小功率增益 (Gp)	10 dB
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	FLAT
端子位置	RADIAL
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	8500 MHz

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NE64535-T2相似产品对比

	NE64535-T2	NE64535-T1	NE64500	NE64587
描述	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, X Band, Silicon, NPN
厂商名称	California Eastern Labs	California Eastern Labs	California Eastern Labs	California Eastern Labs
包装说明	DISK BUTTON, O-CRDB-F4	DISK BUTTON, O-CRDB-F4	UNCASED CHIP, S-XUUC-N2	SMALL OUTLINE, R-CDSO-F2
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	LOW NOISE	LOW NOISE	LOW NOISE	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)	0.065 A	0.065 A	0.065 A	0.065 A
基于收集器的最大容量	0.6 pF	0.6 pF	0.6 pF	0.6 pF
集电极-发射极最大电压	12 V	12 V	12 V	12 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	50	50	50	50
最高频带	L BAND	L BAND	L BAND	X BAND
JESD-30 代码	O-CRDB-F4	O-CRDB-F4	S-XUUC-N2	R-CDSO-F2
元件数量	1	1	1	1
端子数量	4	4	2	2
最高工作温度	200 °C	200 °C	200 °C	200 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	UNSPECIFIED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	ROUND	ROUND	SQUARE	RECTANGULAR
封装形式	DISK BUTTON	DISK BUTTON	UNCASED CHIP	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES
端子形式	FLAT	FLAT	NO LEAD	FLAT
端子位置	RADIAL	RADIAL	UPPER	DUAL
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	8500 MHz	8500 MHz	8500 MHz	8500 MHz
最小功率增益 (Gp)	10 dB	10 dB	11 dB	-

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