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DM2202J1-12I

产品描述Cache DRAM, 1MX4, 12ns, CMOS, PDSO28
产品类别存储    存储   
文件大小155KB,共19页
制造商Ramtron International Corporation (Cypress Semiconductor Corporation)
官网地址http://www.cypress.com/
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DM2202J1-12I概述

Cache DRAM, 1MX4, 12ns, CMOS, PDSO28

DM2202J1-12I规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Ramtron International Corporation (Cypress Semiconductor Corporation)
零件包装代码SOIC
包装说明SOJ, SOJ28,.34
针数28
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间12 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J28
JESD-609代码e0
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型CACHE DRAM
内存宽度4
端子数量28
字数1048576 words
字数代码1000000
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织1MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ28,.34
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)240
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
自我刷新NO
最大待机电流0.001 A
最大压摆率0.225 mA
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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