CM39-65608V-35:D,CM39-65608V-35:D pdf中文资料,CM39-65608V-35:D引脚图,CM39-65608V-35:D电路-Datasheet-电子工程世界

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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> CM39-65608V-35:D

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CM39-65608V-35:D: 产品描述Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, PDIP32,; 产品类别存储存储; 文件大小549KB，共10页; 制造商TEMIC; 官网地址http://www.temic.de/

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CM39-65608V-35:D概述

Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, PDIP32,

CM39-65608V-35:D规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	TEMIC
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	35 ns
JESD-30 代码	R-PDIP-T32
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	32
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	128KX8
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
最小待机电流	2 V
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL

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