ND260N12K: 产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 260A, 1200V V(RRM), Silicon, MODULE-2; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小225KB，共10页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/; 标准

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ND260N12K概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 260A, 1200V V(RRM), Silicon, MODULE-2

ND260N12K规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)
零件包装代码	MODULE
包装说明	MODULE-2
针数	2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	UL RECOGNIZED
应用	GENERAL PURPOSE
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.32 V
JESD-30 代码	R-XUFM-X2
最大非重复峰值正向电流	8300 A
元件数量	1
相数	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-40 °C
最大输出电流	260 A
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压	1200 V
最大反向电流	30000 µA
表面贴装	NO
端子形式	UNSPECIFIED
端子位置	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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Netz-Dioden-Modul

Rectifier Diode Module

Datenblatt / Data sheet

ND260N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Kenndaten

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Periodische Spitzensperrspannung

repetitive peak reverse voltages

Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

Grenzlastintegral

I²t-value

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

on-state voltage

Schleusenspannung

threshold voltage

Ersatzwiderstand

slope resistance

Sperrstrom

reverse current

Isolations-Prüfspannung

insulation test voltage

Elektrische Eigenschaften

Thermische Eigenschaften

= -40°C... T

vj max

RRM

RSM

FRMSM

1200

1600

1300

1700

1400 V

1800 V

1500 V

1900 V

410 A

260 A

9.500 A

8.300 A

= +25°C... T

vj max

= 100°C

= 25 °C, t

= 10 ms

= T

vj max

, t

= 10 ms

= 25 °C, t

= 10 ms

= T

vj max

, t

= 10 ms

FAVM

FSM

I²t

451.000 A²s

344.000 A²s

= T

vj max

, i

= 800 A

= T

vj max

= T

vj max

= T

vj max

, v

= V

RRM

RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min

(TO)

ISOL

max.

1,32 V

0,7 V

0,68 mΩ

max.

30 mA

3,6 kV

3,0 kV

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

pro Modul / per Module,

= 180° sin R

thJC

pro Modul / per Module, DC

max.

0,170 °C/W

0,164 °C/W

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

Betriebstemperatur

operating temperature

Lagertemperatur

storage temperature

1) 1800V auf Anfrage / 1800V on request

prepared by: C. Drilling

approved by: M. Leifeld

date of publication:

revision:

pro Modul / per Module

pro Zweig / per arm

thCH

vj max

c op

stg

max.

0,04 °C/W

150 °C

- 40...+150 °C

30.04.03

BIP AC / 87-09-25, K.Spec

A20/87

Seite/page

1/9

ND260N12K相似产品对比

	ND260N12K	ND260N14K	ND260N16K	ND260N12KHPSA1	ND260N14KHPSA1	ND260N16KHPSA1	ND260N16KHOSA1	ND260N18K
描述	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 260A, 1200V V(RRM), Silicon, MODULE-2	50 mm PowerBLOCK Rectifier Diode Modules are designed and assembled with high reliable pressure contact technology using an isolated copper base plate.	50 mm PowerBLOCK Rectifier Diode Modules are designed and assembled with high reliable pressure contact technology using an isolated copper base plate.	DIODE GP 1.2KV 104A BG-PB50ND-1	DIODE GP 1.4KV 260A BG-PB50ND-1	DIODE GP 1.6KV 260A BG-PB50ND-1	Rectifier Diode,	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 260A, 1800V V(RRM), Silicon, MODULE-2
厂商名称	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	-	-
包装说明	MODULE-2	R-XUFM-X2	R-XUFM-X2	MODULE-2	R-XUFM-X2	R-XUFM-X2	-	R-XUFM-X2
其他特性	UL RECOGNIZED	UL RECOGNIZED	UL RECOGNIZED	UL RECOGNIZED	UL RECOGNIZED	UL RECOGNIZED	-	UL RECOGNIZED
应用	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE	-	GENERAL PURPOSE
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	-	ISOLATED
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	-	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	-	SILICON
JESD-30 代码	R-XUFM-X2	R-XUFM-X2	R-XUFM-X2	R-XUFM-X2	R-XUFM-X2	R-XUFM-X2	-	R-XUFM-X2
最大非重复峰值正向电流	8300 A	8300 A	8300 A	8300 A	8300 A	8300 A	-	8300 A
元件数量	1	1	1	1	1	1	-	1
相数	1	1	1	1	1	1	-	1
端子数量	2	2	2	2	2	2	-	2
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	-	150 °C	-	150 °C
最大输出电流	260 A	260 A	260 A	260 A	260 A	260 A	-	260 A
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	-	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	-	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	-
最大重复峰值反向电压	1200 V	1400 V	1600 V	1200 V	1400 V	1600 V	-	1800 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	-	NO
端子形式	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	-	UNSPECIFIED
端子位置	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER	-	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	-

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