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ND260N12KHPSA1

产品描述DIODE GP 1.2KV 104A BG-PB50ND-1
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小225KB,共10页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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ND260N12KHPSA1概述

DIODE GP 1.2KV 104A BG-PB50ND-1

ND260N12KHPSA1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明MODULE-2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
其他特性UL RECOGNIZED
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.32 V
JESD-30 代码R-XUFM-X2
最大非重复峰值正向电流8300 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流260 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压1200 V
最大反向电流30000 µA
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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N
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
Datenblatt / Data sheet
ND260N
ND260N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kenndaten
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltages
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Sperrstrom
reverse current
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
Elektrische Eigenschaften
T
Thermische Eigenschaften
vj
= -40°C... T
vj max
V
RRM
V
RSM
I
FRMSM
1200
1600
1300
1700
1400 V
1800 V
1500 V
1900 V
410 A
260 A
9.500 A
8.300 A
1)
T
vj
= +25°C... T
vj max
T
C
= 100°C
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
I
FAVM
I
FSM
I²t
451.000 A²s
344.000 A²s
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 800 A
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
, v
R
= V
RRM
RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
v
F
V
(TO)
r
T
i
R
V
ISOL
max.
1,32 V
0,7 V
0,68 mΩ
max.
30 mA
3,6 kV
3,0 kV
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Modul / per Module,
Θ
= 180° sin R
thJC
pro Modul / per Module, DC
max.
max.
0,170 °C/W
0,164 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
1) 1800V auf Anfrage / 1800V on request
prepared by: C. Drilling
approved by: M. Leifeld
date of publication:
revision:
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
R
thCH
T
vj max
T
c op
T
stg
max.
0,04 °C/W
150 °C
- 40...+150 °C
- 40...+150 °C
30.04.03
1
BIP AC / 87-09-25, K.Spec
A20/87
Seite/page
1/9

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描述 DIODE GP 1.2KV 104A BG-PB50ND-1 50 mm PowerBLOCK Rectifier Diode Modules are designed and assembled with high reliable pressure contact technology using an isolated copper base plate. 50 mm PowerBLOCK Rectifier Diode Modules are designed and assembled with high reliable pressure contact technology using an isolated copper base plate. DIODE GP 1.4KV 260A BG-PB50ND-1 DIODE GP 1.6KV 260A BG-PB50ND-1 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 260A, 1200V V(RRM), Silicon, MODULE-2 Rectifier Diode, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 260A, 1800V V(RRM), Silicon, MODULE-2
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 - -
包装说明 MODULE-2 R-XUFM-X2 R-XUFM-X2 R-XUFM-X2 R-XUFM-X2 MODULE-2 - R-XUFM-X2
其他特性 UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED - UL RECOGNIZED
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE - GENERAL PURPOSE
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED - ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE - SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON - SILICON
JESD-30 代码 R-XUFM-X2 R-XUFM-X2 R-XUFM-X2 R-XUFM-X2 R-XUFM-X2 R-XUFM-X2 - R-XUFM-X2
最大非重复峰值正向电流 8300 A 8300 A 8300 A 8300 A 8300 A 8300 A - 8300 A
元件数量 1 1 1 1 1 1 - 1
相数 1 1 1 1 1 1 - 1
端子数量 2 2 2 2 2 2 - 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C - 150 °C 150 °C - 150 °C
最大输出电流 260 A 260 A 260 A 260 A 260 A 260 A - 260 A
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED - UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT - FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - -
最大重复峰值反向电压 1200 V 1400 V 1600 V 1400 V 1600 V 1200 V - 1800 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO - NO
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED - UNSPECIFIED
端子位置 UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER - UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - -
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